【摘要】本发明涉及一种带有钮扣的可以产生层次感短袖，包括短袖本体(1)，所述短袖本体(1)的领口下方设有竖直排列的一列钮扣I(2)，所述钮扣I(2)下方设有竖直排列的一列钮扣II(3)，所述钮扣I(2)为可开合的实用钮扣，所述钮扣II(3)
【摘要】 本发明涉及一种作为硅槽刻蚀掩膜的光刻胶的光刻方法，包括下列步骤：对晶圆进行涂胶；对涂覆了光刻胶的所述晶圆进行软烘；对所述光刻胶进行曝光及显影；对曝光及显影后的光刻胶进行热坚膜，所述热坚膜步骤完成后所述晶圆上的光刻胶厚度为7.2~7.8微米；以热坚膜后的所述光刻胶为掩膜对硅槽进行刻蚀；所述光刻方法中不包含对光刻胶进行光学稳定处理的步骤。本发明通过形成大于7微米的厚胶，提高了硅的选择比。同时由于不包含对光刻胶进行光学稳定处理的步骤，可以使用干法去胶工艺，也就不会有去胶后甩干的步骤，避免了甩干导致的碎片问题。 【专利类型】发明申请 【申请人】无锡华润上华半导体有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】214028 江苏省无锡市国家高新技术产业开发区汉江路5号 【申请人地区】中国 【申请人城市】无锡市 【申请人区县】滨湖区 【申请号】CN201210257697.1 【申请日】2012-07-24 【申请年份】2012 【公开公告号】CN103576445A 【公开公告日】2014-02-12 【公开公告年份】2014 【授权公告号】CN103576445B 【授权公告日】2016-08-03 【授权公告年份】2016.0 【IPC分类号】G03F7/00; G03F7/16; H01L21/027 【发明人】徐春云 【主权项内容】一种作为硅槽刻蚀掩膜的光刻胶的光刻方法，包括下列步骤：对晶圆进行涂胶；对涂覆了光刻胶的所述晶圆进行软烘；对所述光刻胶进行曝光及显影；对曝光及显影后的光刻胶进行热坚膜，所述热坚膜步骤完成后所述晶圆上的光刻胶厚度为7.2~7.8微米；以热坚膜后的所述光刻胶为掩膜对硅槽进行刻蚀；所述光刻方法中不包含对光刻胶进行光学稳定处理的步骤。 【当前权利人】无锡华润上华科技有限公司 【当前专利权人地址】江苏省无锡市国家高新技术产业开发区新洲路8号 【专利权人类型】有限责任公司(外商合资) 【统一社会信用代码】91320214714903842J 【引证次数】6.0 【被引证次数】8 【他引次数】6.0 【被他引次数】8.0 【家族引证次数】6.0 【家族被引证次数】8
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