【摘要】 本发明提供了一种可抗噪声干扰的高侧栅驱动电路，主要包括可抗共模噪声干扰的高压电平位移电路，脉冲滤波电路，RS触发器，输出驱动级电路，其中，可抗共模噪声干扰的高压电平位移电路将低侧的脉冲产生信号转换成高侧的高压脉冲信号，并消除在应用中产生的共模噪声，脉冲滤波电路滤除剩余的差模噪声成分，只留下正常工作的脉冲信号，经过RS触发器还原为正常信号并经过输出驱动级电路后输出方波信号，驱动外部的高侧功率管。 【专利类型】发明授权 【申请人】东南大学 【申请人类型】学校 【申请人地址】214135 江苏省无锡市新区菱湖大道99号 【申请人地区】中国 【申请人城市】无锡市 【申请人区县】滨湖区 【申请号】CN201210224755.0 【申请日】2012-06-30 【申请年份】2012 【公开公告号】CN102769454B 【公开公告日】2014-12-17 【公开公告年份】2014 【授权公告号】CN102769454B 【授权公告日】2014-12-17 【授权公告年份】2014.0 【IPC分类号】H03K19/003 【发明人】祝靖; 卢云皓; 钱钦松; 孙伟锋; 陆生礼; 时龙兴 【主权项内容】一种可抗噪声干扰的高侧栅驱动电路，包括可抗共模噪声干扰的高压电平位移电路(1)，脉冲滤波电路(2)，RS触发器(3)，输出驱动级电路(4)，其中可抗共模噪声干扰的高压电平位移电路(1)的输入由低压侧脉冲产生电路提供，其输出作为脉冲滤波电路(2)的输入，脉冲滤波电路(2)的输出信号经过RS触发器(3)进入输出驱动级电路(4)，输出驱动级电路(4)输出驱动信号控制外部功率管的开关，其特征在于，所述可抗共模噪声干扰的高压电平位移电路(1)由LDMOS管LDM1，LDMOS管LDM2，电容C1，电容C2，PMOS管M1、PMOS管M2，电阻RD1，电阻RD2，电阻RD3，电阻RD4，齐纳二极管D1，齐纳二极管D2，齐纳二极管D3，齐纳二极管D4，齐纳二极管D5，齐纳二极管D6，反相器INV1、反相器INV2，与非门NAND1组成，LDMOS管LDM1的栅端接前级的输出端，LDMOS管LDM1的漏端接电阻RD2的下端，同时接齐纳二极管D3的阳极，LDMOS管LDM1的源端接电源地COM，LDMOS管LDM2的栅端接前级的输出端，LDMOS管LDM2的漏端接电阻RD4的下端，同时接齐纳二极管D6的阳极，LDMOS管LDM2的源端接电源地COM，电阻RD2的上端接电阻RD1的下端，同时接齐纳二极管D1的阳极，并且接反相器INV1的输入端，电阻RD4的上端接电阻RD3的下端，同时接齐纳二极管D4的阳极，并且接反相器INV2的输入端，电阻RD1的上端接高侧电源电压VB，电阻RD3的上端接高侧电源电压VB，齐纳二极管D3的阳极接电容C1的上端，齐纳二极管D3的阴极接齐纳二极管D2的阳极，齐纳二极管D2的阴极接齐纳二极管D1的阳极，齐纳二极管D1的阴极接高侧电源电压VB，齐纳二极管D6的阳极接电容C2的上端，齐纳二极管D6的阴极接齐纳二极管D5的阳极，齐纳二极管D5的阴极接齐纳二极管D4的阳极，齐纳二极管D4的阴极接高侧电源电压VB，电容C1的下端接电源地COM，电容C2的下端接电源地COM，反相器INV1的输出端和反相器INV2的输出端接与非门NAND1的输入端，与非门NAND1的输出端接PMOS管M1的栅端，并同时接PMOS管M2的栅端，PMOS管M1的源端接电阻RD2的上端，PMOS管M1的漏端接电阻RD2的下端，PMOS管M2的源端接电阻RD4的上端，PMOS管M2的漏端接电阻RD4的下端，同时电阻RD1的阻值小于电阻RD2的阻值，电阻RD3的阻值小于电阻RD4的阻值，反相器INV1和反相器INV2的翻转电平高于后级脉冲滤波电路(2)的输入翻转电平。。 【当前权利人】东南大学 【当前专利权人地址】江苏省无锡市新区菱湖大道99号 【统一社会信用代码】12100000466006770Q 【引证次数】4.0 【自引次数】1.0 【他引次数】3.0 【家族引证次数】4.0 【家族被引证次数】13

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