【摘要】 本发明公开了一种晶圆级真空封装的IR FPA器件及其制造方法，采用2片晶圆键合的方式来实现红外探测器的制作及实现其晶圆级封装，把CMOSIC与MEMS器件分开制作，既实现与CMOSIC的集成，又增加MEMS红外探测器器件制作的灵活性，又能同时实现晶圆级封装。本发明的优点是：通过在一片晶圆上制作CMOS读出电路和共振吸收结构的反光板，利用另外一片晶圆制造IR FPA的MEMS结构部分，同时利用这片晶圆做IR FPA的红外光窗，既利用共振吸收结构提供了红外IR FPA器件的红外吸收效率，同时实现IR FPA器件的晶圆级封装，有利于减小IR FPA器件的尺寸和降低制作成本。 【专利类型】发明授权 【申请人】江苏物联网研究发展中心 【申请人类型】科研单位 【申请人地址】214135 江苏省无锡市新区菱湖大道200号中国传感网国际创新园C座4楼 【申请人地区】中国 【申请人城市】无锡市 【申请人区县】滨湖区 【申请号】CN201210088348.1 【申请日】2012-03-29 【申请年份】2012 【公开公告号】CN102610619B 【公开公告日】2014-04-16 【公开公告年份】2014 【授权公告号】CN102610619B 【授权公告日】2014-04-16 【授权公告年份】2014.0 【IPC分类号】H01L27/144; G01J5/20 【发明人】欧文; 蒋文静 【主权项内容】1. 晶圆级真空封装的IR FPA器件，包括第一片晶圆(101)和第二片晶圆(201)，其特征是：所述第一片晶圆(101)为常规的硅片，采用常规IC制作工艺制作出IR FPA的读出电路，同时以第一片晶圆(101)最上层金属制作出IR FPA器件所需要的共振吸收的反光板(104)；在第一片晶圆(101)有反光板(104)的一面淀积有介质材料(102)，贯穿所述第一片晶圆(101)和介质材料(102)制有TSV结构(103)用于电连接及实现贴片式封装，在TSV结构(103)和介质材料(102)的电连接点制作第一低温焊接材料(105)；在第二片晶圆(201)的硅衬底上，制作出用于IR FPA器件的微结构，包括：所述第二片晶圆(201)正面制作有阻挡氧化层(202)，在阻挡氧化层(202)上制作有金属连线(203)，形成MEMS结构的电连线(204)，热隔离悬臂梁(206)中的金属与所述电连线(204)相连，热隔离悬臂梁(206)中的金属与敏感层(205)中的敏感电阻材料相连，在阻挡氧化层(202)上还制作有用于真空封装的吸气剂(207)以及用于两片晶圆焊接的第二低温焊接材料(208)，第二低温焊接材料(208)与电连线(204)相连，所述敏感层(205)、热隔离悬臂梁(206)、吸气剂(207)、第二低温焊接材料(208)之间形成真空腔(210)，在第二片晶圆(201)的上下两面还制作有红外光窗所需的抗反射材料；由所述第一片晶圆(101)与第二片晶圆(201)的键合实现晶圆级真空封装。 【当前权利人】中科芯未来微电子科技成都有限公司 【当前专利权人地址】四川省成都市双流区东升街道成都芯谷产业园区(1号楼)集中区内 【统一社会信用代码】1232020046637256X7 【引证次数】3.0 【他引次数】3.0 【家族引证次数】3.0 【家族被引证次数】43

未经允许不得转载：http://www.zhongzhencnc.com/1790302676.html