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多晶硅在离子注入后的快速退火方法专利

时间:2026-09-25    作者:admin 点击: ( 0 ) 次

【摘要】 本发明提供一种多晶硅在离子注入后的快速热退火(RapidThermalAnneal,RTA)方法,属于半导体多晶硅的制备技术领域。该方法用于将晶圆上的多晶硅在离子注入掺杂后进行掺杂激活以获得预定电阻范围内的多晶硅层,其中,在快速热退火的过程中,在向所述晶圆所处的快速热退火装置的腔室内通入氮气的同时,通入氧气以改善所述晶圆上的多晶硅的电阻的均匀性。该RTA方法所制备形成的多晶硅层的电阻均匀性好,成品率高并且制造成本低。 【专利类型】发明申请 【申请人】无锡华润上华科技有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】214028 江苏省无锡市国家高新技术产业开发区新洲路8号 【申请人地区】中国 【申请人城市】无锡市 【申请人区县】滨湖区 【申请号】CN201210219690.0 【申请日】2012-06-29 【申请年份】2012 【公开公告号】CN103515224A 【公开公告日】2014-01-15 【公开公告年份】2014 【授权公告号】CN103515224B 【授权公告日】2016-12-21 【授权公告年份】2016.0 【IPC分类号】H01L21/324 【发明人】平梁良 【主权项内容】一种快速热退火方法,用于将晶圆上的多晶硅在离子注入掺杂后进行掺杂激活以获得预定电阻范围内的多晶硅层,其特征在于,在快速热退火的过程中,在向所述晶圆所处的快速热退火装置的腔室内通入氮气的同时,通入氧气以改善所述晶圆上的多晶硅的电阻的均匀性。 【当前权利人】无锡华润上华科技有限公司 【当前专利权人地址】江苏省无锡市国家高新技术产业开发区新洲路8号 【专利权人类型】有限责任公司(港澳台法人独资) 【统一社会信用代码】91320214739444443B 【引证次数】3.0 【被引证次数】4 【他引次数】3.0 【被他引次数】4.0 【家族引证次数】3.0 【家族被引证次数】4

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