【摘要】 一种具有P型埋层的超结纵向双扩散金属氧化物半导体管，包括：兼做漏区的N型掺杂硅衬底、N型掺杂硅外延层、超结结构，所述的N型掺杂硅外延层设在N型掺杂硅衬底上，超结结构设在N型硅掺杂半导体区上，所述的超结结构由相互间隔的P型柱和N型柱组成，在P型柱上有第一P型掺杂半导体区，且第一P型掺杂半导体区位于N型掺杂外延层内，在第一P型掺杂半导体区中设有第二P型重掺杂半导体接触区和N型重掺杂半导体源区，其特征在于，在N型柱表面有轻掺杂的P型埋层，且P型埋层在N型柱内。 【专利类型】发明授权 【申请人】东南大学 【申请人类型】学校 【申请人地址】214135 江苏省无锡市新区菱湖大道99号 【申请人地区】中国 【申请人城市】无锡市 【申请人区县】滨湖区 【申请号】CN201210101013.9 【申请日】2012-04-06 【申请年份】2012 【公开公告号】CN102646711B 【公开公告日】2014-08-27 【公开公告年份】2014 【授权公告号】CN102646711B 【授权公告日】2014-08-27 【授权公告年份】2014.0 【IPC分类号】H01L29/78; H01L29/06 【发明人】钱钦松; 祝靖; 张龙; 杨卓; 孙伟锋; 陆生礼; 时龙兴 【主权项内容】一种具有P型埋层的超结纵向双扩散金属氧化物半导体管，包括：兼做漏区的N型掺杂硅衬底(1)、N型掺杂硅外延层(2)、超结结构(3)，所述的N型掺杂硅外延层(2)设在N型掺杂硅衬底(1)上，超结结构(3)设在N型硅掺杂半导体区(2)上，所述的超结结构(3)由相互间隔的P型柱(4)和N型柱(5)组成，在P型柱上有第一P型掺杂半导体区(6)，且第一P型掺杂半导体区(6)位于N型掺杂外延层(2)内，在第一P型掺杂半导体区(6)中设有第二P型重掺杂半导体接触区(13)和N型重掺杂半导体源区(12)，在N型柱(5)上设有栅氧化层(8)，在栅氧化层(8)上方设有多晶硅栅(9)，在多晶硅栅(9)上设有氧化层(10)，在第二P型重掺杂半导体接触区(13)和N型重掺杂半导体源区(12)上连接有源极金属(11)，其特征在于，在N型柱表面有轻掺杂的P型埋层(7)，且P型埋层(7)在N型柱内，P型埋层位于栅氧化层下方。 【当前权利人】东南大学 【当前专利权人地址】江苏省无锡市新区菱湖大道99号 【统一社会信用代码】12100000466006770Q 【引证次数】3.0 【自引次数】1.0 【他引次数】2.0 【家族引证次数】3.0

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