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一种具有可调节电势分布的半导体装置及其制备方法专利

时间:2026-10-10    作者:admin 点击: ( 0 ) 次

【摘要】 本发明公开了一种具有可调节电势分布的半导体装置;本发明的半导体装置由主结和副结并联构成,其中副结为多个PN结串联构成;当半导体装置接反向偏压时,电势在副结上形成可控制的分布,从而改变主结的漂移区的电势分布,因此可以实现比传统PN结更高反向阻断压降;本发明的半导体结适合应用于平面结构的器件。 【专利类型】发明申请 【申请人】盛况; 朱江 【申请人类型】个人 【申请人地址】310027 浙江省杭州市浙大路38号电气工程学院 【申请人地区】中国 【申请人城市】杭州市 【申请人区县】西湖区 【申请号】CN201210237780.2 【申请日】2012-06-30 【申请年份】2012 【公开公告号】CN103515387A 【公开公告日】2014-01-15 【公开公告年份】2014 【授权公告号】CN103515387B 【授权公告日】2017-05-17 【授权公告年份】2017.0 【IPC分类号】H01L27/102; H01L21/8222 【发明人】盛况; 朱江 【主权项内容】一种具有可调节电势分布的半导体装置,其特征在于:包括:主结,为单个半导体结,具有半导体材料构成的漂移区;副结,为多个半导体结串联构成,临靠主结,副结与主结首尾并联,同时在主结的漂移区和副结之间通过绝缘材料进行隔离。 【当前权利人】芯联动力科技(绍兴)有限公司 【当前专利权人地址】浙江省绍兴市越城区皋埠街道人民东路1433号1号楼203-18室 【引证次数】4.0 【被引证次数】1 【自引次数】1.0 【他引次数】3.0 【被自引次数】1.0 【家族引证次数】4.0 【家族被引证次数】1

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