【摘要】 本发明公开了一种MEMS薄膜电容式多参数传感器的集成制造方法。在MEMS承载衬底上并列设有MEMS薄膜电容式压力、温度和湿度传感器。三种传感器的电极、牺牲层、敏感层、敏感膜以及保护层均采用互相匹配的结构与材料，从而能够通过集成的表面微加工技术制造而成。优点是：本发明所提出的多参数传感器的结构及集成制造方法减小了器件的体积，简化了工艺步骤，能够在一定程度上降低传感器产品的成本。另外，全电容的结构增加了其在基于电感耦合的无源无线传感系统中的应用潜力。 微信 【专利类型】发明授权 【申请人】江苏物联网研究发展中心 【申请人类型】科研单位 【申请人地址】214135 江苏省无锡市新区菱湖大道200号中国传感网国际创新园C座4楼 【申请人地区】中国 【申请人城市】无锡市 【申请人区县】滨湖区 【申请号】CN201210297768.0 【申请日】2012-08-21 【申请年份】2012 【公开公告号】CN102798403B 【公开公告日】2014-10-22 【公开公告年份】2014 【授权公告号】CN102798403B 【授权公告日】2014-10-22 【授权公告年份】2014.0 【IPC分类号】G01D5/12; B81B7/00; B81C1/00 【发明人】秦毅恒; 欧文 【主权项内容】1. 一种MEMS薄膜电容式多参数传感器的集成制造方法，其特征是，步骤如下：(1) 在承载衬底(1)上使用物理气相沉积法沉积金属薄膜，使用紫外线光刻和腐蚀的方法对所述金属薄膜进行图形化，形成MEMS薄膜电容式传感器的下电极(5)和器件外部的电学互连(6)；(2) 在步骤1形成的结构上使用旋涂的方法涂覆一层湿度敏感材料，使用紫外线光刻和腐蚀的方法对所述湿度敏感材料进行图形化，形成MEMS薄膜电容式压力传感器(2)和MEMS薄膜电容式温度传感器(3)的牺牲层(19)以及MEMS薄膜电容式湿度传感器(4)的湿度敏感层(10)，所述牺牲层(19)与湿度敏感层(10)的部分边缘延伸至下电极(5)的边缘以外，以便在后续流程中实现上电极(7)和下电极(5)的电学隔离；(3) 在步骤2形成的结构上使用物理气相沉积法沉积金属薄膜，使用紫外线光刻和腐蚀的方法对所述金薄膜进行图形化，形成MEMS薄膜电容式压力传感器(2)、MEMS薄膜电容式温度传感器(3)和MEMS薄膜电容式湿度传感器(4)的上电极(7)以及上电极(7)与器件外部连接的电学互连，其中MEMS薄膜电容式压力传感器(2)的上电极(7)中制作有用于释放牺牲层(19)的释放孔结构(11)；(4) 在步骤3形成的结构上使用化学气相沉积或物理气相沉积的方法沉积绝缘薄膜，使用紫外线光刻和腐蚀的方法对所述绝缘薄膜进行图形化，形成：带有牺牲层释放孔(18)的MEMS薄膜电容式压力传感器(2)的密封层(20)、MEMS薄膜电容式温度传感器(3)双材料悬臂结构的外侧结构(15)及其与承载衬底(1)连接的锚点(14)、带有湿度探测孔结构(16)的MEMS薄膜电容式湿度传感器(4)的保护层(17)；(5) 使用干法腐蚀或湿法腐蚀的方法，通过牺牲层释放孔(18)、上电极(7)中的释放孔结构(11)以及MEMS薄膜电容式温度传感器(3)电极间的间隙(9)，对MEMS薄膜电容式压力传感器(2)和MEMS薄膜电容式温度传感器(3)中的牺牲层(19)进行腐蚀，从而释放MEMS结构；(6) 使用化学气相沉积的方法，再次沉积绝缘层薄膜，通过紫外线光刻和腐蚀的方法对带有牺牲层释放孔(18)的密封层(20)进行密封，形成密闭的密封层(13)；(7) 使用紫外线光刻图形化和腐蚀的方法，在MEMS薄膜电容式湿度传感器(4)的上电极(7)中制作出湿度探测孔结构(16)；最终完成MEMS薄膜电容式多参数传感器结构的集成制造。 【当前权利人】中科芯未来微电子科技成都有限公司 【当前专利权人地址】四川省成都市双流区东升街道成都芯谷产业园区(1号楼)集中区内 【统一社会信用代码】1232020046637256X7 【引证次数】5.0 【自引次数】1.0 【他引次数】4.0 【家族引证次数】5.0 【家族被引证次数】39

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