【摘要】 本发明涉及场中止型绝缘栅型双极晶体管及其制造方法。该方法依次具备下述步骤：形成IGBT结构的步骤，在衬底的正面上形成IGBT的正面结构；减薄步骤，将所述衬底减薄；形成P层的步骤，在所述衬底的背面形成N＋缓冲层，并在所述N＋缓冲层的另一面形成P层；形成集电极的步骤，在所述P层与所述N＋缓冲层相接触的另一面形成集电极。利用本发明，能够提供一种无需专用设备、工艺简单、效率高的场中止型绝缘栅型双极晶体管的制造方法。 【专利类型】发明申请 【申请人】无锡华润上华半导体有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】214028 中国无锡市国家高新技术产业开发区汉江路5号 【申请人地区】中国 【申请人城市】无锡市 【申请人区县】滨湖区 【申请号】CN201210270702.2 【申请日】2012-08-01 【申请年份】2012 【公开公告号】CN103578982A 【公开公告日】2014-02-12 【公开公告年份】2014 【IPC分类号】H01L21/331; H01L29/739 【发明人】邓小社; 王根毅; 芮强; 吴芃芃 【主权项内容】1.一种场中止型绝缘栅型双极晶体管的制造方法，其特征在于，依次具备下述步骤： 形成IGBT结构的步骤，在衬底的正面上形成IGBT的正面结构； 减薄步骤，将所述衬底减薄；形成P层的步骤，在所述衬底的背面形成N＋缓冲层，并在所述N＋缓冲层的另一面形成P层；形成集电极的步骤，在所述P层与所述N＋缓冲层相接触的另一面形成集电极。 【当前权利人】无锡华润上华半导体有限公司 【当前专利权人地址】中国无锡市国家高新技术产业开发区汉江路5号 【专利权人类型】有限责任公司(外商合资) 【统一社会信用代码】91320214714903842J 【引证次数】3.0 【被引证次数】1 【他引次数】3.0 【被他引次数】1.0 【家族引证次数】3.0 【家族被引证次数】1

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