【摘要】本发明提供一种手性CdTe量子点的制备方法及用于光学异构化合物对映体的检测，包括采用惰性气体载流反应器制备前驱体，并经反应器输出管导流到含镉源和手性稳定剂混合液中反应得到手性量子点，离心分离后重新溶解，用于检测光学异构对映体标准溶液
【摘要】 本发明涉及一种硅膜腐蚀厚度的控制方法。该方法包括下述步骤：测试模块的形成步骤，在硅片正面作为测试模块形成具有规定深度的回形凹槽；腐蚀处理步骤，用腐蚀液对硅片从背面开始进行腐蚀；以及停止腐蚀步骤，当所述测试模块从所述硅片脱落时停止腐蚀，以使得测试模块的厚度为所述规定深度。利用本发明的硅膜腐蚀厚度的控制方法，能够精确地控制硅膜的厚度并且能够简化处理工艺、提高工艺效率。 【专利类型】发明申请 【申请人】无锡华润华晶微电子有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】214028 江苏省无锡市国家高新技术产业开发区信息产业科技园C座2楼 【申请人地区】中国 【申请人城市】无锡市 【申请人区县】滨湖区 【申请号】CN201210204517.3 【申请日】2012-06-20 【申请年份】2012 【公开公告号】CN103508409A 【公开公告日】2014-01-15 【公开公告年份】2014 【授权公告号】CN103508409B 【授权公告日】2015-12-09 【授权公告年份】2015.0 【IPC分类号】B81C1/00 【发明人】陈思奇; 朱琳; 王荣华 【主权项内容】一种硅膜腐蚀厚度的控制方法，在晶片上预先形成硅膜而构成硅片，其特征在于，依次包括下述步骤：测试模块的形成步骤，在硅片正面形成具有规定深度的回形凹槽，由所述回形凹槽及该回形凹槽所包围的硅片形成所述测试模块；腐蚀处理步骤，用腐蚀液对硅片从背面开始进行腐蚀；以及停止腐蚀步骤，当所述测试模块从所述硅片脱落时停止腐蚀，以使得测试模块的厚度等于所述规定深度。。 【当前权利人】无锡华润华晶微电子有限公司 【当前专利权人地址】江苏省无锡市国家高新技术产业开发区信息产业科技园C座2楼 【专利权人类型】有限责任公司(港澳台投资、非独资) 【统一社会信用代码】913202147140943367 【引证次数】5.0 【他引次数】5.0 【家族引证次数】5.0
未经允许不得转载：http://www.zhongzhencnc.com/1790333408.html
