【摘要】 本发明公开了一种晶圆级真空封装的红外探测器及其制作方法。本发明采用2片晶圆键合的方式来实现红外探测器的制作及实现其晶圆级封装，其优点是：把CMOSIC与MEMS器件分开制作，既实现与CMOSIC的集成，又增加MEMS红外探测器器件制作的灵活性，又能同时实现晶圆级封装，降低封装成本。 【专利类型】发明授权 【申请人】江苏物联网研究发展中心 【申请人类型】科研单位 【申请人地址】214135 江苏省无锡市新区菱湖大道200号中国传感网国际创新园C座4楼 【申请人地区】中国 【申请人城市】无锡市 【申请人区县】滨湖区 【申请号】CN201210088369.3 【申请日】2012-03-29 【申请年份】2012 【公开公告号】CN102583220B 【公开公告日】2014-11-05 【公开公告年份】2014 【授权公告号】CN102583220B 【授权公告日】2014-11-05 【授权公告年份】2014.0 【IPC分类号】B81B7/00; B81C1/00; G01J5/12 【发明人】欧文 【主权项内容】1. 晶圆级真空封装的红外探测器，包括第一片晶圆(101)和第二片晶圆(201)，其特征是：所述第一片晶圆(101)为常规的硅片，采用标准的CMOS IC制作工艺制作出红外探测器的读出电路，同时利用CMOS IC的最后一层金属制作出红外探测器共振吸收结构的反光板(104)；所述第二片晶圆(201)为Si片或Ge片或GaAs或GeSi片，第二片晶圆(201)上制作有MEMS探测器器件，其中的红外吸收层(206)与第一片晶圆的反光板(104)构成共振吸收结构，增强红外吸收效率；在第一片晶圆(101)有反光板(104)的一面淀积有钝化层介质(103)，贯穿所述第一片晶圆(101)和钝化层介质(103)制有TSV结构(102)用于电连接及实现贴片式封装，在TSV结构(102)和钝化层介质(103)的电连接点制作第一低温焊接材料(105)；所述第二片晶圆(201)有凹槽的一面制作有第一抗反射层(203)，没有凹槽的一面制作有第二抗反射层(212)，在第一抗反射层(203)对应凹槽以外的部分制有电连接金属(207)和吸气剂(208)，在电连接金属(207)表面制作第二低温焊接材料(209)；绝热悬臂梁(204)中的导电材料一端与电连接金属(207)相连，另一端位于红外吸收区(205)，并且位于红外吸收区(205)两侧的绝热悬臂梁(204)通过金属实现电连接，红外吸收层(206)位于红外吸收区(205)的下表面或上表面，红外吸收层(206)与绝热悬臂梁(204)的导电材料之间有介质层进行电隔离；所述绝热悬臂梁(204)、红外吸收区(205)、红外吸收层(206)与第一抗反射层(203)对应凹槽的部分之间为空腔(211)，由所述第一片晶圆(101)与第二片晶圆(201)的焊接实现封装。 【当前权利人】中科微光子科技(成都)有限公司 【当前专利权人地址】四川省成都市双流区成都芯谷产业园区集中区内 【统一社会信用代码】1232020046637256X7 【引证次数】7.0 【被引证次数】4 【他引次数】7.0 【被他引次数】4.0 【家族引证次数】7.0 【家族被引证次数】49

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