【摘要】本发明提出了用于制造DMOS半导体器件的方法。其中,所述方法包括下列步骤:(A1)在半导体晶圆上形成RING环;(A2)在已形成所述RING环的所述半导体晶圆上形成多晶层;(A3)在已形成所述多晶层的所述半导体晶圆上形成源极;(A4
【摘要】 本发明涉及一种纳米等离子体改性含氟高耐候太阳电池背膜及其生产工艺,特征是,包括以下工艺步骤:(1)将含氟聚合物薄膜或含氟涂层的内侧面在等离子处理机中处理,在含氟聚合物薄膜或含氟涂层的内侧面形成接枝层;(2)将PET基材的一面与含氟聚合物薄膜或含氟涂层的内侧面通过粘结材料进行复合,复合压力为3~10Kgf,在40~60℃进行1~3天初步固化后,再在PET基材的另一面通过粘结材料与聚烯烃材料进行复合,复合压力为3~10Kgf,再在40~60℃进行3~10天的熟化。本发明的优点:采用纳米亲水氟化等离子体处理技术,彻底解决了传统复合型背膜的层间剥离强度偏低的弱点,具有高耐湿热环境下持久的卓越优良的层间剥离强度。 : 【专利类型】发明授权 【申请人】无锡中洁能源技术有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】214028 江苏省无锡市新区太科园清源路530大厦A区310室 【申请人地区】中国 【申请人城市】无锡市 【申请人区县】滨湖区 【申请号】CN201210029312.6 【申请日】2012-02-10 【申请年份】2012 【公开公告号】CN102569464B 【公开公告日】2014-04-02 【公开公告年份】2014 【授权公告号】CN102569464B 【授权公告日】2014-04-02 【授权公告年份】2014.0 【IPC分类号】B32B27/08; H01L31/049; B32B27/36; B32B27/32; B32B27/06; B32B7/12; H01L31/18 【发明人】黄新东; 司琼; 丁玲; 刘天人 【主权项内容】一种纳米等离子体改性含氟高耐候太阳电池背膜的生产工艺,其特征是,包括以下工艺步骤:(1)将含氟聚合物薄膜或含氟涂层的内侧面在等离子处理机中处理0.1~2秒,在含氟聚合物薄膜或含氟涂层的内侧面形成接枝层;在等离子处理机的气体发生腔体内盛放含氟硅烷偶联剂,工作气体为氩气或氦气,工作气体的浓度为99~99.99%,放电频率为50~5000Hz;(2)将PET基材的一面与含氟聚合物薄膜或含氟涂层的内侧面通过粘结材料进行复合,复合压力为3~10Kgf,在40~60℃进行1~3天初步固化后,再在PET基材的另一面通过粘结材料与聚烯烃材料进行复合,复合压力为3~10Kgf,再在40~60℃进行3~10天的熟化。 【当前权利人】无锡中洁能源技术有限公司 【当前专利权人地址】江苏省无锡市新区太科园清源路530大厦A区310室 【专利权人类型】有限责任公司(自然人投资或控股的法人独资) 【统一社会信用代码】91320214566822660Q 【引证次数】3.0 【自引次数】1.0 【他引次数】2.0 【家族引证次数】3.0 【家族被引证次数】5
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