【摘要】 本发明涉及一种纳米柱/针森林结构的加工方法，属于半导体的技术领域。按照本发明提供的技术方案，一种纳米柱/针森林结构的加工方法，所述纳米柱/针森林结构的加工方法包括如下步骤：a.准备并清洗所选用的衬底；b.在所述衬底上生长一层多晶硅；c.在所述生长有多晶硅的衬底上生长一层侧墙材料层，所述侧墙材料层覆盖于多晶硅层上；d.对上述覆盖侧墙材料层、多晶硅层的衬底进行多晶硅的各向异性刻蚀；e.调节各向异性刻蚀的时间，直至得到所需的纳米柱/针森林结构。本发明能有效克服电子束光刻和聚焦离子束刻蚀技术在批量加工方面的限制，并可有效降低工艺复杂程度，实现具有高可调控性、均匀性的大面积或图形化纳米结构。 【专利类型】发明授权 【申请人】江苏物联网研究发展中心 【申请人类型】科研单位 【申请人地址】214135 江苏省无锡市新区菱湖大道200号中国传感网国际创新园C座 【申请人地区】中国 【申请人城市】无锡市 【申请人区县】滨湖区 【申请号】CN201210265870.2 【申请日】2012-07-30 【申请年份】2012 【公开公告号】CN102779747B 【公开公告日】2014-11-05 【公开公告年份】2014 【授权公告号】CN102779747B 【授权公告日】2014-11-05 【授权公告年份】2014.0 【IPC分类号】H01L21/3065; H01L21/306; B82Y40/00 【发明人】毛海央; 陈媛婧; 欧文; 谭振新 【主权项内容】一种纳米柱/针森林结构的加工方法，其特征是，所述纳米柱/针森林结构的加工方法包括如下步骤：(a)、准备并清洗所选用的衬底；(b)、在所述衬底上生长一层多晶硅；(c)、在所述生长有多晶硅的衬底上生长一层侧墙材料层，所述侧墙材料层覆盖于多晶硅层上；(d)、对上述覆盖侧墙材料层、多晶硅层的衬底进行多晶硅的各向异性刻蚀；(e)、调节各向异性刻蚀的时间，直至得到所需的纳米柱/针森林结构；所述多晶硅表面由尺寸范围为50nm到500nm的多晶硅晶粒以及晶粒之间的凹隙构成，因而呈现表面粗糙，且晶粒的尺寸随多晶硅层的生长厚度发生变化。 【当前权利人】北京中科微知识产权服务有限公司 【当前专利权人地址】北京市怀柔区雁栖经济开发区雁栖南四街25号院3号楼307号 【统一社会信用代码】1232020046637256X7 【引证次数】3.0 【他引次数】3.0 【家族引证次数】3.0 【家族被引证次数】9

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