【摘要】 本发明涉及一种特高频双模预分频电路结构及其集成电路芯片结构，属于电路结构技术领域。该特高频双模预分频电路结构包括反馈回路和多级分频回路，反馈回路的输入端连接待分频的输入信号，反馈回路的输出端连接多级分频回路的输入端，多级分频回路的输出端为分频信号输出端。从而提供一种使用ECL电路结构替代CMOS工艺实现的预分频结构。并进一步对集成电路芯片结构进行改进，在P型衬底层和金属层之间增加N型阱，N型阱与金属层和衬底层之间分别形成有第一寄生电容和第二寄生电容，从而实现有效提升发射极耦合逻辑电路结构预分频器的频响特性，提高电路在特高频信号下工作的响应速度的特高频双模预分频电路结构及其集成电路芯片结构。 【专利类型】发明申请 【申请人】无锡华润矽科微电子有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】214000 江苏省无锡市菱湖大道180号-22 【申请人地区】中国 【申请人城市】无锡市 【申请人区县】滨湖区 【申请号】CN201210287662.2 【申请日】2012-08-13 【申请年份】2012 【公开公告号】CN103595401A 【公开公告日】2014-02-19 【公开公告年份】2014 【授权公告号】CN103595401B 【授权公告日】2017-03-08 【授权公告年份】2017.0 【IPC分类号】H03K23/00 【发明人】黄立朝; 刘冰; 周景晖; 程学农 【主权项内容】一种特高频双模预分频电路结构，其特征在于，所述的电路结构包括反馈回路和多级分频回路，所述的反馈回路的输入端连接待分频的输入信号，所述的反馈回路的输出端连接所述的多级分频回路的输入端，所述的多级分频回路的输出端为分频信号输出端。 ： 【当前权利人】华润微集成电路(无锡)有限公司 【当前专利权人地址】江苏省无锡市无锡太湖国际科技园菱湖大道180号-6 【引证次数】2.0 【他引次数】2.0 【家族引证次数】2.0

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