【摘要】本发明涉及二氧化钛材料的制备，旨在提供一种空心二氧化钛材料的制备方法。该方法是在乙醇中依次加入有机酸和钛酸丁酯，超声分散形成A溶液；将有机酸加至乙醇中再加入去离子水形成B溶液；将B溶液逐滴加入到A溶液中得到溶胶；添加有机酸使其pH值
【摘要】 本发明公开了一种新型平面型二极管器件结构；本发明的二极管器件结构由沟道和漂移区构成；当二极管器件接反向偏压时，沟道相邻的掺杂区形成的夹断势垒阻断反向电流；当二极管器件接正向偏压时，沟道内的势垒被同时降低，允许电流通过，可调的沟道参数实现了相对低的开启电压；本发明适用于所有半导体材料的平面结构二极管器件。 【专利类型】发明申请 【申请人】杭州恩能科技有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】310027 浙江省杭州市文三路199号创业大厦1105室恩能科技有限公司 【申请人地区】中国 【申请人城市】杭州市 【申请人区县】西湖区 【申请号】CN201210259557.8 【申请日】2012-07-24 【申请年份】2012 【公开公告号】CN103579363A 【公开公告日】2014-02-12 【公开公告年份】2014 【IPC分类号】H01L29/861; H01L29/06 【发明人】王珏; 蔡超峰; 何敏 【主权项内容】一种新型平面型二极管器件结构，其特征在于：包括：沟道，由邻近的相应类型的掺杂区构成，同时形成所需的势垒高度，通过欧姆接触形成二极管一端；漂移区，由半导体材料构成，与沟道相连，并通过欧姆接触获得二极管另一端。 【当前权利人】杭州恩能科技有限公司 【当前专利权人地址】浙江省杭州市文三路199号创业大厦1105室恩能科技有限公司 【专利权人类型】有限责任公司(自然人投资或控股) 【统一社会信用代码】91330108580282787D 【引证次数】3.0 【他引次数】3.0 【家族引证次数】3.0
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