【摘要】本发明公开了一种自动变化灯光亮度和灯体形态的灯具及调整方法，该灯具包括用于感应生命是否存在的红外检测单元、控制调节单元和可伸缩灯体；控制调节单元分别与红外检测单元及可伸缩灯体连接从而接收红外检测单元的检测信号控制传动伸缩机构，从而使
【摘要】 本发明提供了一种耗尽型功率半导体器件及其形成方法，所述器件包括：半导体衬底；位于所述半导体衬底上的第一掺杂类型的外延层；形成于所述外延层内的第二掺杂类型的阱区，所述第二掺杂类型与所述第一掺杂类型相反，所述阱区的表面具有第一掺杂类型的反型层；依次位于所述外延层上的栅介质层和栅电极，所述阱区横向延伸至所述栅电极下方的距离为0.75×Xj+b，其中Xj为所述阱区的结深，-2μm≤b≤5μm。本发明工艺制程简单、成本低、阈值电压可控性好。。 【专利类型】发明授权 【申请人】杭州士兰微电子股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】310012 浙江省杭州市黄姑山路4号 【申请人地区】中国 【申请人城市】杭州市 【申请人区县】西湖区 【申请号】CN201210253510.0 【申请日】2012-07-20 【申请年份】2012 【公开公告号】CN102751332B 【公开公告日】2014-11-12 【公开公告年份】2014 【授权公告号】CN102751332B 【授权公告日】2014-11-12 【授权公告年份】2014.0 【IPC分类号】H01L29/78; H01L29/06; H01L21/336; H01L21/265 【发明人】叶俊; 张邵华; 李敏 【主权项内容】一种耗尽型功率半导体器件，其特征在于，包括：半导体衬底；位于所述半导体衬底上的第一掺杂类型的外延层；形成于所述外延层内的第二掺杂类型的阱区，所述第二掺杂类型与所述第一掺杂类型相反，所述阱区的表面具有第一掺杂类型的反型层；依次位于所述外延层上的栅介质层和栅电极，所述阱区横向延伸至所述栅电极下方的距离为0.75×Xj+b，其中Xj为所述阱区的结深，-2μm≤b≤5μm。 【当前权利人】杭州士兰微电子股份有限公司 【当前专利权人地址】浙江省杭州市黄姑山路4号 【专利权人类型】其他股份有限公司(上市) 【统一社会信用代码】91330000253933976Q 【引证次数】8.0 【自引次数】1.0 【他引次数】7.0 【家族引证次数】8.0 【家族被引证次数】12
未经允许不得转载：http://www.zhongzhencnc.com/1791609218.html
