【摘要】 本发明提供了一种偏置电压产生电路，包括：第一控制电路和第一电容，其中，所述第一控制电路比较所述第一开关管的漏源电压和所述第一电容两端电压，当所述第一开关管的漏源电压大于所述第一电容两端电压时或者当所述第一开关管的漏源电压大于所述第一电容两端电压而小于过压保护电压时，所述第一控制电路控制所述第一电容进行充电动作，在充电过程中，所述第一电容两端电压小于过压保护电压。采用本发明提供的偏置电压产生电路能满足控制电路的供电需求，且本发明提供的电路结构简单，成本低，效率高。 【专利类型】发明授权 【申请人】矽力杰半导体技术(杭州)有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】310012 浙江省杭州市文三路90号东部软件园科技大厦A1501 【申请人地区】中国 【申请人城市】杭州市 【申请人区县】西湖区 【申请号】CN201210341512.5 【申请日】2012-09-14 【申请年份】2012 【公开公告号】CN102820765B 【公开公告日】2014-08-20 【公开公告年份】2014 【授权公告号】CN102820765B 【授权公告日】2014-08-20 【授权公告年份】2014.0 【IPC分类号】H02M1/08; H02M3/28; H02M1/00 【发明人】陈伟 【主权项内容】一种偏置电压产生电路，应用于开关电源中，所述开关电源包括有一功率级电路和控制电路，其特征在于，所述偏置电压产生电路包括：第一控制电路和第一电容，所述第一控制电路的一端连接于所述功率级电路的磁性元件和第一开关管之间，另一端与第一电容连接，在所述功率级电路中的第一开关管为关断状态时，所述第一控制电路比较所述第一开关管的漏源电压和所述第一电容两端电压，当所述第一开关管的漏源电压大于所述第一电容两端电压时，所述第一控制电路控制所述第一电容进行充电动作；在充电过程中，所述第一电容两端电压小于一过压保护电压，其中，所述过压保护电压为不小于所述控制电路的期望偏置电压；其中所述第一控制电路包括：第一比较器、第二开关管和二极管，所述第一比较器的反相输入端接收所述第一电容两端电压，其同相输入端接收所述过压保护电压，所述第一比较器的输出端输出一第一控制信号；所述第二开关管的控制端与所述第一比较器的输出端连接以接收所述第一控制信号，其第一端连接在所述第一开关管的一功率端，第二端与所述二极管的阳极连接，所述二极管的阴极与所述第一电容连接。 【当前权利人】矽力杰半导体技术(杭州)有限公司 【当前专利权人地址】浙江省杭州市文三路90号东部软件园科技大厦A1501 【专利权人类型】有限责任公司(外国法人独资) 【统一社会信用代码】91330100673960735E 【引证次数】3.0 【被引证次数】2 【他引次数】3.0 【被自引次数】2.0 【家族引证次数】12.0 【家族被引证次数】40

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