【摘要】 本发明公开了一种基于场限环可控硅结构的瞬态电压抑制器，包括：P衬底层；P衬底层上设有并排相连的N阱和P阱；N阱上嵌有第一N+有源注入区和第一P+有源注入区；P阱上嵌有第二P+有源注入区和第二N+有源注入区；由N阱和P阱构成的阱层上且位于第一P+有源注入区与第二N+有源注入区之间嵌有一个或两个电流阻挡区。本发明通过在阱上嵌入与阱的导电类型相反的有源注入区，可以在阱的表面形成耗尽层，将电流引向器件的内部；这样的设计可以防止ESD电流在表面某处过于集中，而导致器件过早失效，提升了器件的鲁棒性。 【专利类型】发明授权 【申请人】浙江大学 【申请人类型】学校 【申请人地址】310027 浙江省杭州市西湖区浙大路38号 【申请人地区】中国 【申请人城市】杭州市 【申请人区县】西湖区 【申请号】CN201210091687.5 【申请日】2012-03-30 【申请年份】2012 【公开公告号】CN102623450B 【公开公告日】2014-12-03 【公开公告年份】2014 【授权公告号】CN102623450B 【授权公告日】2014-12-03 【授权公告年份】2014.0 【IPC分类号】H01L27/02 【发明人】董树荣; 曾杰; 吴健; 钟雷; 韩雁 【主权项内容】一种基于场限环可控硅结构的瞬态电压抑制器，包括P衬底层(10)；其特征在于：所述的P衬底层(10)上设有并排相连的N阱(21)和P阱(22)；所述的N阱(21)上远离P阱(22)的一侧嵌有第一N+有源注入区(31)，靠近P阱(22)的一侧嵌有第一P+有源注入区(41)；所述的P阱(22)上远离N阱(21)的一侧嵌有第二P+有源注入区(42)，靠近N阱(21)的一侧嵌有第二N+有源注入区(32)；由N阱(21)和P阱(22)构成的阱层上且位于第一P+有源注入区(41)与第二N+有源注入区(32)之间嵌有一个或两个电流阻挡区；所述的第一N+有源注入区(31)和第一P+有源注入区(41)通过第一金属电极相连，所述的第二P+有源注入区(42)和第二N+有源注入区(32)通过第二金属电极相连；若所述的电流阻挡区的个数为两个，则这两个电流阻挡区分别为嵌于N阱(21)上的第三P+有源注入区(43)和嵌于P阱(22)上的第三N+有源注入区(33)；若所述的电流阻挡区的个数为一个且嵌于N阱(21)上，则该电流阻挡区为第三P+有源注入区(43)；若所述的电流阻挡区的个数为一个且嵌于P阱(22)上，则该电流阻挡区为第三N+有源注入区(33)；所述的第一N+有源注入区(31)与第一P+有源注入区(41)以及第二P+有源注入区(42)与第二N+有源注入区(32)均通过浅槽(50)隔离。 【当前权利人】浙江大学 【当前专利权人地址】浙江省杭州市西湖区浙大路38号 【专利权人类型】公立 【统一社会信用代码】12100000470095016Q 【引证次数】3.0 【自引次数】1.0 【他引次数】2.0 【家族引证次数】3.0 【家族被引证次数】7

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