【摘要】 本发明公开了一种铁掺杂三氧化钨光电极的制备方法。包括如下步骤：1)无定形氧化钨薄膜的制备：以ITO导电玻璃为工作电极，铂片电极为对电极，饱和甘汞电极为参比电极，置于电解液中进行电沉积，得到无定形氧化钨薄膜，晾干备用；2)浸渍法掺杂铁：将步骤1)所得无定形氧化钨薄膜置于0.005mol/L的Fe(NO3)3溶液中浸渍20~40分钟，得到铁掺杂氧化钨薄膜，取出后用蒸馏水冲洗，空气中晾干；3)煅烧：将步骤2)所得铁掺杂氧化钨薄膜置于马弗炉中，在450°C下高温煅烧3小时，冷却至室温后取出，得到铁掺杂三氧化钨光电极。本发明的光电转换效率和光电催化活性都显著提高，采用的实验设备简单，易于操作，所使用的原料在自然界丰富，且成本低廉，同时具有环境友好等优点。 【专利类型】发明授权 【申请人】浙江大学 【申请人类型】学校 【申请人地址】310027 浙江省杭州市西湖区浙大路38号 【申请人地区】中国 【申请人城市】杭州市 【申请人区县】西湖区 【申请号】CN201210177981.8 【申请日】2012-06-01 【申请年份】2012 【公开公告号】CN102691071B 【公开公告日】2014-11-26 【公开公告年份】2014 【授权公告号】CN102691071B 【授权公告日】2014-11-26 【授权公告年份】2014.0 【IPC分类号】C25B11/04; C25D9/04 【发明人】刘润; 刘丽英; 王萍; 徐铸德; 许宜铭 【主权项内容】1.一种铁掺杂三氧化钨光电极的制备方法，其特征在于包括如下步骤： 1)无定形氧化钨薄膜的制备：将0.0025~0.0100mol的Na2WO4溶于50mL的蒸馏水，加入0.25~1.00mL质量百分比浓度为30%的H2O2溶液，再加入30mL的异丙醇，搅拌1分钟得到含W2O72-溶液后用2mol/L的高氯酸或硝酸调节含W2O72-溶液pH值为1.10~1.40，加蒸馏水到含W2O72-溶液至体积为100mL，得到澄清的电解液；以ITO导电玻璃为工作电极，铂片电极为对电极，饱和甘汞电极为参比电极，置于电解液中进行电沉积，相对于甘汞电极的阴极电位为-0.4~ -0.6V, 沉积时间为60分钟, 得到无定形氧化钨薄膜，晾干备用； 2)浸渍法掺杂铁：将步骤1)所得无定形氧化钨薄膜置于0.005mol/L的Fe(NO3)3溶液中浸渍20~40分钟，得到铁掺杂氧化钨薄膜，取出后用蒸馏水冲洗，空气中晾干； 3)煅烧：将步骤2)所得铁掺杂氧化钨薄膜置于马弗炉中，在450°C下高温煅烧3小时，冷却至室温后取出，得到铁掺杂三氧化钨光电极，所述的铁为Fe2O3。 【当前权利人】浙江大学 【当前专利权人地址】浙江省杭州市西湖区浙大路38号 【专利权人类型】公立 【统一社会信用代码】12100000470095016Q 【引证次数】5.0 【被引证次数】1 【自引次数】1.0 【他引次数】4.0 【被他引次数】1.0 【家族引证次数】5.0 【家族被引证次数】16

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