【摘要】本发明涉及一种高速分散机，尤其是涉及一种纳米材料高速分散匀质机。其主要是解决现有技术所存在的分散机无法将团聚的纳米粉体分子间的范德华尔力分开，只能实现微米级的粉体材料分散而不能实现纳米级粉体材料的分散等的技术问题。本发明包括物料缸，
【摘要】 本发明公开了一种高效率的偏置电压产生电路，用以给开关电源中的驱动芯片提供偏置电压，其通过所述开关电源的输出端电压与所述驱动芯片的期望偏置电压的比值和功率级电路中的工字型电感的匝数来获得所需要的偏置电压，本发明的所述偏置电压的获取无需进行复杂的降压转换就能满足所述驱动芯片的供电电压的要求，其成本低、效率高。 【专利类型】发明授权 【申请人】矽力杰半导体技术(杭州)有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】310012 浙江省杭州市文三路90号东部软件园科技大厦A1501 【申请人地区】中国 【申请人城市】杭州市 【申请人区县】西湖区 【申请号】CN201210301935.4 【申请日】2012-08-23 【申请年份】2012 【公开公告号】CN102830740B 【公开公告日】2014-04-30 【公开公告年份】2014 【授权公告号】CN102830740B 【授权公告日】2014-04-30 【授权公告年份】2014.0 【IPC分类号】G05F1/46; H02M3/10 【发明人】徐鸿国 【主权项内容】一种高效率的偏置电压产生电路，用以给开关电源中的驱动芯片提供偏置电压，所述开关电源的功率级电路中包含有一电感，其特征在于，所述开关电源的输出端电压与所述驱动芯片的期望偏置电压的比值为第一比例系数；所述电感为一工字型电感，所述偏置电压产生电路的输入端与所述工字型电感相连接，并根据所述工字型电感的匝数和所述第一比例系数来获得一第一电压；所述偏置电压产生电路根据接收到的所述第一电压以产生所述偏置电压并供给所述驱动芯片。 【当前权利人】矽力杰半导体技术(杭州)有限公司 【当前专利权人地址】浙江省杭州市文三路90号东部软件园科技大厦A1501 【专利权人类型】有限责任公司(外国法人独资) 【统一社会信用代码】91330100673960735E 【引证次数】5.0 【被引证次数】2 【他引次数】5.0 【被他引次数】2.0 【家族引证次数】56.0 【家族被引证次数】7
未经允许不得转载：http://www.zhongzhencnc.com/1791589319.html
