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一种肖特基MOS半导体装置及其制备方法专利

时间:2026-10-09    作者:admin 点击: ( 2 ) 次

【摘要】 本发明提出一种肖特基MOS半导体装,将肖特基势垒结代替传统MOS器件的源区和体区,通过栅极偏压在漂移区形成高浓度的载流子区域,形成器件的沟道;同时本发明将电荷补偿结构引入到肖特基MOS结构中。本发明还提供一种肖特基MOS半导体装置的制备方法。 【专利类型】发明申请 【申请人】朱江 【申请人类型】个人 【申请人地址】310018 浙江省杭州市下沙三号大街裕园公寓1号603室 【申请人地区】中国 【申请人城市】杭州市 【申请人区县】上城区 【申请号】CN201210328183.0 【申请日】2012-09-06 【申请年份】2012 【公开公告号】CN103681838A 【公开公告日】2014-03-26 【公开公告年份】2014 【IPC分类号】H01L29/78; H01L29/06; H01L21/336 【发明人】朱江 【主权项内容】一种肖特基MOS半导体装置,其特征在于:包括:衬底层,为半导体材料;漂移层,为第一传导类型的半导体材料,位于衬底层之上;栅绝缘层,为绝缘材料,位于漂移层表面;栅电极,多晶半导体材料或金属,位于栅绝缘层上表面;肖特基势垒结,位于漂移层表面,与栅绝缘层交替排列;沟道区,为漂移层中临靠栅绝缘层和肖特基势垒结的第一传导类型的半导体材料。 【当前权利人】朱江 【当前专利权人地址】浙江省杭州市下沙三号大街裕园公寓1号603室 【引证次数】5.0 【他引次数】5.0 【家族引证次数】5.0

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