【摘要】 本发明公开一种元件内埋式半导体封装件的制作方法。提供金属基板。形成一金属层于金属基板上，其中金属层包覆金属基板。金属层具有彼此相对的上表面与下表面及连接上表面与下表面的第一侧表面。形成图案化光致抗蚀剂层于金属层上，其中图案化光致抗蚀剂层暴露出部分上表面与部分下表面。形成多个接垫于图案化光致抗蚀剂层所暴露出的金属层的上表面及下表面上，且图案化光致抗蚀剂层包覆各接垫的第二侧表面。移除图案化光致抗蚀剂层，以暴露出接垫的第二侧表面。设置多个电子元件于接垫上。压合一绝缘层于金属层上，且绝缘层覆盖电子元件、接垫及部分金属层。 【专利类型】发明申请 【申请人】健鼎(无锡)电子有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】214101 中国江苏省无锡市锡山经济开发区团结中路6号 【申请人地区】中国 【申请人城市】无锡市 【申请人区县】锡山区 【申请号】CN201210193779.4 【申请日】2012-06-13 【申请年份】2012 【公开公告号】CN103489796A 【公开公告日】2014-01-01 【公开公告年份】2014 【授权公告号】CN103489796B 【授权公告日】2016-01-20 【授权公告年份】2016.0 【IPC分类号】H01L21/56; H01L21/60 【发明人】藤川治; 孙奇; 杨中贤; 杨伟雄 【主权项内容】-官网 一种元件内埋式半导体封装件的制作方法，包括：提供一金属基板；形成一金属层于该金属基板上，其中该金属层包覆该金属基板，且该金属层具有彼此相对的一上表面与一下表面以及一连接该上表面与该下表面的第一侧表面；形成一第一图案化光致抗蚀剂层于该金属层上，其中该第一图案化光致抗蚀剂层暴露出该金属层的部分该上表面与部分该下表面；形成多个第一接垫于该第一图案化光致抗蚀剂层所暴露出的该金属层的该上表面与该下表面上，其中该第一图案化光致抗蚀剂层包覆各该第一接垫的一第二侧表面；移除该第一图案化光致抗蚀剂层，以暴露出该些第一接垫的该些第二侧表面；设置多个电子元件于该些第一接垫上；以及压合一绝缘层于该金属层上，其中该绝缘层覆盖该些电子元件、该些第一接垫以及部分该金属层。 【当前权利人】健鼎(无锡)电子有限公司 【当前专利权人地址】江苏省无锡市锡山经济开发区团结中路6号 【专利权人类型】有限责任公司(外国法人独资) 【统一社会信用代码】9132020572443105XN 【引证次数】5.0 【被引证次数】9 【他引次数】5.0 【被他引次数】9.0 【家族引证次数】5.0 【家族被引证次数】9

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