【摘要】 本发明揭示了一种场效应晶体管的外延结构，它包括：N+衬底、形成在衬底上的N-外延层、形成在N-外延层中并且填充有P－外延层的倾斜沟槽、形成在P-外延层中的P+阱、形成在P+阱中的N+源区；以及形成在P-沟槽以外区域的N-外延层上的多晶硅栅极。其中，N-外延层的掺杂浓度从N+衬底向着远离衬底的方向是缓变的。本发明的场效应晶体管的外延结构击穿电压较高而导通电阻同时较小。 【专利类型】发明申请 【申请人】无锡华润上华半导体有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】214028 江苏省无锡市国家高新技术产业开发区汉江路5号 【申请人地区】中国 【申请人城市】无锡市 【申请人区县】滨湖区 【申请号】CN201210333874.X 【申请日】2012-09-11 【申请年份】2012 【公开公告号】CN103681779A 【公开公告日】2014-03-26 【公开公告年份】2014 【IPC分类号】H01L29/06; H01L29/78; H01L21/336 【发明人】周宏伟; 阮孟波; 吴宗宪; 孙晓儒 【主权项内容】一种场效应晶体管的外延结构，其特征在于，它包括：N+衬底，作为所述场效应晶体管的漏极；形成在所述衬底上的N-外延层；形成在所述N-外延层中沟槽，并且所述沟槽中填充有P－外延层；形成在所述P-外延层中的P+阱；形成在所述P+阱中的N+源区；以及形成在所述P-沟槽以外区域的所述N-外延层上的多晶硅栅极，其中，所述N-外延层的掺杂浓度从所述N+衬底向着远离所述衬底的方向是缓变的。 【当前权利人】无锡华润上华半导体有限公司 【当前专利权人地址】江苏省无锡市国家高新技术产业开发区汉江路5号 【专利权人类型】有限责任公司(外商合资) 【统一社会信用代码】91320214714903842J 【引证次数】4.0 【被引证次数】9 【自引次数】1.0 【他引次数】3.0 【被他引次数】9.0 【家族引证次数】4.0 【家族被引证次数】10

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