【摘要】 本发明公开了一种MEMS麦克风电路，包括MEMS声电传感器和信号预放大电路，信号预放大电路包括放大器、电荷泵、接口控制电路和OTP存储器；电荷泵与MEMS声电传感器连接，放大器与MEMS声电传感器连接，OTP存储器与放大器连接，接口控制电路与放大器以及OTP存储器连接。本发明同时提供与MEMS麦克风电路相配合的上位机电路，以及MEMS麦克风电路进入编程模式的方法。本发明可对已完成封装的麦克风成品进行参数的修改，通过对部分由于工艺偏差引起的不良产品进行参数修正，使其达到规范要求。 【专利类型】发明授权 【申请人】无锡纳讯微电子有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】214000 江苏省无锡市锡山区东北塘锡港路27号 【申请人地区】中国 【申请人城市】无锡市 【申请人区县】锡山区 【申请号】CN201210060600.8 【申请日】2012-03-09 【申请年份】2012 【公开公告号】CN102611974B 【公开公告日】2014-05-07 【公开公告年份】2014 【授权公告号】CN102611974B 【授权公告日】2014-05-07 【授权公告年份】2014.0 【IPC分类号】H04R19/01; H04R3/00 【发明人】蒋振雷; 朱潇挺 【主权项内容】一种MEMS麦克风电路，其特征在于：包括MEMS声电传感器(1)和信号预放大电路(2)，所述信号预放大电路(2)包括放大器(3)、电荷泵(4)、接口控制电路(6)和OTP存储器(5)；所述电荷泵(4)与MEMS声电传感器(1)连接，用于为MEMS声电传感器(1)提供偏置电压；所述放大器(3)与MEMS声电传感器(1)连接，用于放大MEMS声电传感器(1)产生的电信号；所述OTP存储器(5)与放大器(3)连接，用于程序的存储；所述接口控制电路(6)与放大器(3)以及OTP存储器(5)连接，用于实现输出引脚的复用并和上位机通讯，以及对OTP存储器(5)进行读写以配置内部电路；所述放大器(3)由电流源偏置电路、第一级放大电路和第二级驱动电路组成；所述电流源偏置电路包括第一NMOS管，所述第一NMOS管的源极接地，漏极和栅极连接第一开关(S1)的一端，第一开关(S1)的另一端串联电流源后接电源电压；所述第二级驱动电路包括PMOS管和第二NMOS管，所述PMOS管的漏极和栅极之间连接有密勒补偿电路和第二开关(S2)，所述第二NMOS管的源极和栅极之间连接有第三开关(S3)，所述PMOS管的源极和栅极之间连接有第四开关(S4)；PMOS管的源极接电源电压，第二NMOS管的源极接地，PMOS管的栅极连接第一级放大电路的输出端，第一NMOS管的栅极和第二NMOS管的栅极相连；所述MEMS表示微机电系统；所述OTP表示一次性可编程；所述NMOS表示N型金属氧化物半导体；所述PMOS表示P型金属氧化物半导体。 【当前权利人】无锡纳讯微电子有限公司 【当前专利权人地址】江苏省无锡市锡山区东北塘锡港路27号 【专利权人类型】有限责任公司(自然人投资或控股) 【统一社会信用代码】913202055855768724 【引证次数】10.0 【自引次数】1.0 【他引次数】9.0 【家族引证次数】10.0 【家族被引证次数】3

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