【摘要】 微信 本发明公开了一种MEMS温度传感器的封装结构及其制造方法。其封装结构包括：MEMS衬底、MEMS温度传感器、薄膜封帽、密封键合材料、热传导通道，所述MEMS衬底上承载有MEMS温度传感器，薄膜封帽覆盖在MEMS衬底上，薄膜封帽与MEMS衬底之间形成容纳MEMS温度传感器的腔体，所述薄膜封帽的边缘与MEMS衬底之间通过密封键合材料密封，薄膜封帽与MEMS温度传感器之间通过热传导通道连接。该MEMS温度传感器能够最大程度缩短MEMS温度传感器与外界环境间的传热路径，缩短传感器的响应时间；另外，新结构的制作没有增加实施步骤，采用了兼容的工艺对热传导通道进行制作，密闭腔室与热传导通道在一步键合工艺中同时形成。 【专利类型】发明授权 【申请人】江苏物联网研究发展中心 【申请人类型】科研单位 【申请人地址】214135 江苏省无锡市新区菱湖大道200号中国传感网国际创新园C座4楼 【申请人地区】中国 【申请人城市】无锡市 【申请人区县】滨湖区 【申请号】CN201210359753.2 【申请日】2012-09-24 【申请年份】2012 【公开公告号】CN102853926B 【公开公告日】2014-09-24 【公开公告年份】2014 【授权公告号】CN102853926B 【授权公告日】2014-09-24 【授权公告年份】2014.0 【IPC分类号】G01K5/48; B81B7/00; B81C1/00 【发明人】秦毅恒; 明安杰; 张昕; 谭振新 【主权项内容】一种MEMS温度传感器的封装结构的制造方法，其特征是，包括如下步骤：步骤1：提供承载MEMS温度传感器(2)的MEMS衬底(1)，在MEMS衬底(1)上的环状键合区域中形成第一密封键合材料(8)，在MEMS温度传感器(2)固定端区域中形成第一块状导热材料(9)；步骤2：提供封帽衬底(7)，使用图形化工艺和腐蚀的方法，在封帽衬底(7)中制作用以容纳MEMS温度传感器(2)的腔体(6)；步骤3：在封帽衬底(7)的腔体(6)一侧使用热生长、注入或薄膜沉积的方法制作一层厚度均匀且致密的薄膜封帽(3)；步骤4：在所述薄膜封帽(3)表面，根据步骤1中第一密封键合材料(8)和第一块状导热材料(9)的图形，制作与第一密封键合材料(8)和第一块状导热材料(9)材料相同且图形对应的薄膜封帽(3)上的第二密封键合材料(10)和第二块状导热材料(11)；步骤5：将步骤1得到的MEMS衬底(1)与步骤4得到的封帽衬底(7)对准并在真空环境中施加一定的温度和压力进行键合；所述第一密封键合材料(8)和第二密封键合材料(10)形成一体的密封键合材料(4)，所述第一块状导热材料(9)和第二块状导热材料(11)形成一体的连接MEMS温度传感器(2)与薄膜封帽(3)的热传导通道(5)；步骤6：使用选择性腐蚀的方法去除封帽衬底(7)中的体硅材料，仅保留薄膜封帽(3)，形成最终的封装结构。 【当前权利人】中科芯未来微电子科技成都有限公司 【当前专利权人地址】四川省成都市双流区东升街道成都芯谷产业园区(1号楼)集中区内 【统一社会信用代码】1232020046637256X7 【家族引证次数】3.0 【家族被引证次数】19

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