【摘要】 本发明公开了一种半导体器件，包括衬底以及环绕该衬底边缘设置的场限环，所述场限环包括场限环一、场限环二和场限环三，所述场限环二位于所述场限环一和场限环三之间，所述场限环一和场限环二之间的间距为19~21μm，所述场限环二和场限环三之间的间距为20~23μm。本发明通过改变场限环一、场限环二和场限环三之间的间距，提高了半导体器件的耐压能力。 ： 【专利类型】发明申请 【申请人】无锡华润上华科技有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】214028 江苏省无锡市国家高新技术产业开发区新洲路8号 【申请人地区】中国 【申请人城市】无锡市 【申请人区县】滨湖区 【申请号】CN201210424017.0 【申请日】2012-10-29 【申请年份】2012 【公开公告号】CN103794639A 【公开公告日】2014-05-14 【公开公告年份】2014 【授权公告号】CN103794639B 【授权公告日】2018-01-16 【授权公告年份】2018.0 【IPC分类号】H01L29/06; H01L29/78 【发明人】王者伟 【主权项内容】： 一种半导体器件，包括衬底以及环绕该衬底边缘设置的场限环，所述场限环包括场限环一、场限环二和场限环三，所述场限环二位于所述场限环一和场限环三之间，其特征在于：所述场限环一和场限环二之间的间距为19~21μm，所述场限环二和场限环三之间的间距为20~23μm。 【当前权利人】无锡华润上华科技有限公司 【当前专利权人地址】江苏省无锡市国家高新技术产业开发区新洲路8号 【专利权人类型】有限责任公司(港澳台法人独资) 【统一社会信用代码】91320214739444443B 【引证次数】3.0 【被引证次数】1 【自引次数】1.0 【他引次数】2.0 【被他引次数】1.0 【家族引证次数】3.0 【家族被引证次数】1

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