【摘要】本发明涉及一种薄壁铸件整形工装，具体地说是用于薄壁铸件的整形，属于铸件加工技术领域。其主要包括上模板、上模固定板、冲头、拉杆、等高块、导柱、限位圈、外型块固定板、上底板、下底板、四瓣外型块、四瓣内型块和水槽。所述上底板上端面设有限位
【摘要】 本发明涉及一种硅膜的制备方法，该方法包括下述步骤：在硅片的正反两面分别淀积钝化层的钝化层形成步骤；在正面钝化层上淀积多晶硅作为外延的种子层的种子层形成步骤；在上述种子层上外延生长多晶硅以形成外延层的外延层形成步骤；以及在背面钝化层上形成腐蚀窗口并且利用腐蚀液对硅片背面通过所述腐蚀窗口开始腐蚀直到停止在上述正面钝化层的腐蚀步骤。利用本发明能够制备片内均匀性一致、可精确控制厚度的硅膜。 【专利类型】发明申请 【申请人】无锡华润上华半导体有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】214028 江苏省无锡市国家高新技术产业开发区汉江路5号 【申请人地区】中国 【申请人城市】无锡市 【申请人区县】滨湖区 【申请号】CN201210368330.7 【申请日】2012-09-28 【申请年份】2012 【公开公告号】CN103693612A 【公开公告日】2014-04-02 【公开公告年份】2014 【IPC分类号】B81C1/00 【发明人】荆二荣; 周国平; 夏长奉 【主权项内容】一种制备硅膜的方法，其特征在于，包括下述步骤：在硅片的正反两面分别淀积钝化层形成正面钝化层、背面钝化层的钝化层形成步骤；在所述正面钝化层上淀积多晶硅作为外延生长的种子层的种子层形成步骤；在所述种子层上外延生长多晶硅以形成外延层的外延层形成步骤；以及在所述背面钝化层形成腐蚀窗口并且利用腐蚀液对硅片背面通过所述腐蚀窗口开始进行腐蚀直到停止在所述正面钝化层的腐蚀步骤。 数据由整理 【当前权利人】无锡华润上华半导体有限公司 【当前专利权人地址】江苏省无锡市国家高新技术产业开发区汉江路5号 【专利权人类型】有限责任公司(外商合资) 【统一社会信用代码】91320214714903842J 【引证次数】3.0 【他引次数】3.0 【家族引证次数】5.0 【家族被引证次数】2
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