【摘要】本发明涉及一种带有防护罩的振砂机，包括底座支架(1)和振砂机本体(2)，底座支架(1)内部中空，所述振砂机本体(2)位于底座支架(1)的上方，所述振砂机本体(2)上设有多个网孔(4)，且上方设有多块均互相平行的竖连接板(5)和横连接
【摘要】 本发明提供了一种降低半导体晶片表面电弧缺陷的方法，该方法至少包括：刻蚀该半导体晶片元件，以形成通孔；在所述半导体晶片以及通孔中形成导电层；通过使用研浆的化学机械研磨法研磨所述导电层；采用去离子水对所述半导体进行清洗。通过去离子水对CMP后的半导体进行清洗，可以减少或避免电弧缺陷，同时减少因为残留研浆所造成的颗粒污染，避免元件制程失败，提高良率。 【专利类型】发明申请 【申请人】无锡华润上华科技有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】214028 江苏省无锡市国家高新技术产业开发区新洲路8号 【申请人地区】中国 【申请人城市】无锡市 【申请人区县】滨湖区 【申请号】CN201210258707.3 【申请日】2012-07-24 【申请年份】2012 【公开公告号】CN103578918A 【公开公告日】2014-02-12 【公开公告年份】2014 【授权公告号】CN103578918B 【授权公告日】2017-08-29 【授权公告年份】2017.0 【IPC分类号】H01L21/02 【发明人】陈亚威 【主权项内容】一种降低半导体晶片表面电弧缺陷的方法，其特征在于，该方法至少包括：刻蚀该半导体晶片，以形成通孔；在所述半导体晶片以及通孔中形成导电层；通过使用研浆的化学机械研磨法研磨所述导电层；采用去离子水对所述半导体晶片进行清洗。 【当前权利人】无锡华润上华科技有限公司 【当前专利权人地址】江苏省无锡市国家高新技术产业开发区新洲路8号 【专利权人类型】有限责任公司(港澳台法人独资) 【统一社会信用代码】91320214739444443B 【引证次数】6.0 【被引证次数】2 【他引次数】6.0 【被他引次数】2.0 【家族引证次数】6.0 【家族被引证次数】2
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