【摘要】 本发明涉及一种具有高稳定性的能隙基准电流电路结构，所述的电路结构包括组成镜像恒流源的第一NPN三极管和第二NPN三极管，第一NPN三极管和第二NPN三极管的集电极电阻Rc的阻值为集电极与基极间阻值Rcb的90至110倍，从而在电路基本结构及工艺条件不变的前提下，有效降低了NPN三极管的集电极电阻Rc，从而能够减小NPN三极管饱和压降的影响，进而保证能隙基准电流的稳定性，且本发明的具有高稳定性的能隙基准电流电路结构简单，实现成本低廉，应用范围也较为广泛。 【专利类型】发明申请 【申请人】无锡华润矽科微电子有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】214000 江苏省无锡市菱湖大道180号-22 【申请人地区】中国 【申请人城市】无锡市 【申请人区县】滨湖区 【申请号】CN201210369275.3 【申请日】2012-09-27 【申请年份】2012 【公开公告号】CN103699171A 【公开公告日】2014-04-02 【公开公告年份】2014 【授权公告号】CN103699171B 【授权公告日】2015-10-28 【授权公告年份】2015.0 【IPC分类号】G05F3/26 【发明人】袁巍; 黄历朝; 刘冰; 张勤 【主权项内容】一种具有高稳定性的能隙基准电流电路结构，所述的电路结构包括组成镜像恒流源的第一NPN三极管(Q1)和第二NPN三极管(Q2)，所述的第一NPN三极管(Q1)和第二NPN三极管(Q2)为相同的三极管元件，所述的第一NPN三极管(Q1)的基极连接所述的第二NPN三极管(Q2)的基极，所述的第一NPN三极管(Q1)的基极还连接第一NPN三极管(Q1)的集电极，所述的第一NPN三极管(Q1)的集电极连接电源，所述的第一NPN三极管(Q1)和第二NPN三极管(Q2)的发射极均接地，所述的第二NPN三极管(Q2)的集电极为恒流源输出端，其特征在于，所述的第一NPN三极管(Q1)和第二NPN三极管(Q2)的集电极电阻(Rc)的阻值为集电极与基极间阻值(Rcb)的90至110倍。 【当前权利人】华润微集成电路(无锡)有限公司 【当前专利权人地址】江苏省无锡市无锡太湖国际科技园菱湖大道180号-6 【引证次数】6.0 【他引次数】6.0 【家族引证次数】6.0

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