【摘要】 本发明涉及一种监控半导体器件中磷硅玻璃层的磷浓度的方法，包括下列步骤：根据目标磷硅玻璃层的厚度，采用与目标磷硅玻璃层相同的淀积工艺在第一晶圆上淀积磷硅玻璃形成磷硅玻璃结构；测磷硅玻璃结构的磷浓度，得到磷浓度曲线；根据磷浓度曲线，判断第一磷硅玻璃层的厚度；根据第一磷硅玻璃层的厚度，采用与目标磷硅玻璃层相同的淀积工艺在第二晶圆上淀积第三磷硅玻璃层，第三磷硅玻璃层的厚度不小于第一磷硅玻璃层的厚度；测第三磷硅玻璃层的磷浓度。本发明形成的第三磷硅玻璃层的主体部分为第一磷硅玻璃层，其磷浓度变化能够很好地反映实际器件中较薄且磷浓度较低第一磷硅玻璃薄膜的磷浓度变化，因此能够有效预防接触孔刻蚀阻塞的产生。 【专利类型】发明申请 【申请人】无锡华润上华科技有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】214028 江苏省无锡市国家高新技术产业开发区新洲路8号 【申请人地区】中国 【申请人城市】无锡市 【申请人区县】滨湖区 【申请号】CN201210238322.0 【申请日】2012-07-10 【申请年份】2012 【公开公告号】CN103545227A 【公开公告日】2014-01-29 【公开公告年份】2014 【授权公告号】CN103545227B 【授权公告日】2016-08-17 【授权公告年份】2016.0 【IPC分类号】H01L21/66 【发明人】李健 【主权项内容】一种监控半导体器件中磷硅玻璃层的磷浓度的方法，包括下列步骤：根据目标磷硅玻璃层的厚度，采用与所述目标磷硅玻璃层相同的淀积工艺在第一晶圆上淀积磷硅玻璃形成磷硅玻璃结构；所述磷硅玻璃结构包括底部的第一磷硅玻璃层和位于第一磷硅玻璃层上的第二磷硅玻璃层，所述第二磷硅玻璃层的浓度大于所述第一磷硅玻璃层的浓度；测所述磷硅玻璃结构的磷浓度，得到磷浓度曲线；根据磷浓度曲线，判断所述第一磷硅玻璃层的厚度；根据所述第一磷硅玻璃层的厚度，采用与所述目标磷硅玻璃层相同的淀积工艺在第二晶圆上淀积第三磷硅玻璃层，所述第三磷硅玻璃层的厚度不小于所述第一磷硅玻璃层的厚度且小于所述第一磷硅玻璃层的两倍厚度；测所述第三磷硅玻璃层的磷浓度。 【当前权利人】无锡华润上华科技有限公司 【当前专利权人地址】江苏省无锡市国家高新技术产业开发区新洲路8号 【专利权人类型】有限责任公司(港澳台法人独资) 【统一社会信用代码】91320214739444443B 【引证次数】6.0 【他引次数】6.0 【家族引证次数】6.0

未经允许不得转载：http://www.zhongzhencnc.com/1790325407.html