【摘要】 本发明公开了一种二维热膜风速风向传感器，包括衬底，绝缘层，测温元件和加热元件；衬底中设有空腔，测温元件和加热元件固定在绝缘层的上表面；测温元件到加热元件的距离相等，相对的测温元件以加热元件为中心，相互对称，相邻的测温元件相对的端部距离均相等。该传感器测量风速风向的功耗小，灵敏度高。本发明还公开了一种二维热膜风速风向传感器的制备方法：取(100)晶向单晶硅片，作为衬底；在硅片内部制备一空腔；氧化硅片上表面，形成绝缘层；在绝缘层上表面，采用磁控溅射方法溅射金属，并光刻形成测温元件和加热元件。该制备方法制备的传感器，在衬底中设有空腔，降低传感器进行风速风向测量时的功耗，确保测量的准确性。。微信 【专利类型】发明授权 【申请人】东南大学 【申请人类型】学校 【申请人地址】214135 江苏省无锡市新区菱湖大道99号 【申请人地区】中国 【申请人城市】无锡市 【申请人区县】滨湖区 【申请号】CN201210225095.8 【申请日】2012-06-30 【申请年份】2012 【公开公告号】CN102749473B 【公开公告日】2014-04-16 【公开公告年份】2014 【授权公告号】CN102749473B 【授权公告日】2014-04-16 【授权公告年份】2014.0 【IPC分类号】G01P5/10; G01P13/02 【发明人】秦明; 项天彧; 陈升奇; 周麟; 黄庆安 【主权项内容】一种二维热膜风速风向传感器的制备方法，其特征在于，该传感器包括衬底(1)，绝缘层(2)，测温元件(3)和加热元件(4)；衬底(1)中设有空腔(5)，且空腔(5)顶面到衬底(1)顶面的距离小于10微米；绝缘层(2)贴覆在衬底(1)的上表面，测温元件(3)和加热元件(4)分别固定在绝缘层(2)的上表面；测温元件(3)为四个，测温元件(3)位于加热元件(4)的周边，每个测温元件(3)到加热元件(4)的距离相等，且相对的测温元件(3)以加热元件(4)为中心，相互对称，相邻的测温元件(3)相对的端部距离均相等；测温元件(3)和加热元件(4)位于空腔(5)的正上方；该制备方法包括以下步骤：第一步：取(100)晶向单晶硅片，该硅片作为衬底(1)；第二步：在硅片内部制备一空腔(5)：首先在硅片的上表面涂胶，用光刻机对硅片光刻，用感应耦合等离子干法刻蚀设备对硅片的表面刻蚀形成竖向浅槽，然后采用各向同性干法对竖向浅槽底部进行横向钻蚀，形成下部通槽，该下部通槽连通各竖向浅槽，随后，去除硅片上表面的胶层，对硅片表面清洗干净后，对硅片进行正面外延，填充竖向浅槽，形成空腔(5)，最后化学机械抛光表面获得平整表面；第三步：氧化硅片上表面，形成绝缘层(2)；第四步：在绝缘层(2)上表面，采用磁控溅射方法溅射金属，并光刻形成测温元件(3)和加热元件(4)。 【当前权利人】东南大学 【当前专利权人地址】江苏省无锡市新区菱湖大道99号 【统一社会信用代码】12100000466006770Q 【被引证次数】1 【被自引次数】1.0 【家族引证次数】3.0 【家族被引证次数】25

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