【摘要】 一种高维持电压的可控硅横向双扩散金属氧化物半导体管，包括：N型衬底，在N型衬底上设有埋氧，在埋氧上设有N型外延层，在N型外延层的内部设有N型缓冲阱和P型体区，在N型缓冲阱内设有P型阳区和N型体接触区，在P型体区中设有N型阴区和P型体接触区，在N型外延层的表面设有栅氧化层和场氧化层，在N型阴区和P型体接触区表面设有浅P型阱区，在栅氧化层的表面设有多晶硅栅，其特征在于，在P型阳区和N型体接触区正下方设有深N型阱区，在浅P型阱区正下方设有深P型阱区，这两个区域均能有效地抑制载流子双注入效应，使得在漂移区中自由载流子中和的数目减少，从而提高了器件维持电压，降低了泄放静电过程中闩锁发生的风险。 【专利类型】发明授权 【申请人】东南大学 【申请人类型】学校 【申请人地址】214135 江苏省无锡市新区菱湖大道99号 【申请人地区】中国 【申请人城市】无锡市 【申请人区县】滨湖区 【申请号】CN201210289462.0 【申请日】2012-08-14 【申请年份】2012 【公开公告号】CN102832232B 【公开公告日】2014-12-10 【公开公告年份】2014 【授权公告号】CN102832232B 【授权公告日】2014-12-10 【授权公告年份】2014.0 【IPC分类号】H01L29/06; H01L29/78 【发明人】刘斯扬; 黄婷婷; 卫能; 严岩; 钱钦松; 孙伟锋; 陆生礼; 时龙兴 【主权项内容】一种高维持电压的可控硅横向双扩散金属氧化物半导体管，包括：N型衬底(1)，在N型衬底(1)上设有埋氧(2)，在埋氧(2)上设有N型外延层(3)，在N型外延层(3)的内部设有N型缓冲阱(4)和P型体区(16)，在N型缓冲阱(4)内设有P型阳区(5)和N型体接触区(19)，在P型体区(16)中设有N型阴区(15)和P型体接触区(14)，在N型外延层(3)的表面设有栅氧化层(11)和场氧化层(8)且栅氧化层(11)的一端和场氧化层(8)的一端相抵，所述栅氧化层(11)的另一端向N型阴区(15)延伸并止于N型阴区(15)的边界，所述场氧化层(8)的另一端向P型阳区(5)延伸并止于P型阳区(5)的边界，在N型阴区(15)和P型体接触区(14)表面设有浅P型阱区(13)，且浅P型阱区(13)延伸至栅氧化层(11)下方，在栅氧化层(11)的表面设有多晶硅栅(10)且多晶硅栅(10)延伸至场氧化层(8)的上表面，在场氧化层(8)、P型体接触区(14)、N型阴区(15)、多晶硅栅(10)、P型阳区(5)和N型体接触区(19)的表面设有钝化层(7)，在P型阳区(5)和N型体接触区(19)表面连接有第一金属层(6)，在多晶硅栅(10)的表面连接有第二金属层(9)，在P型体接触区(14)和N型阴区(15)表面连接有第三金属层(12)，其特征在于，在P型阳区(5)和N型体接触区(19)正下方设有深N型阱区(18)，所述深N型阱区(18)位于N型缓冲阱(4)内。 【当前权利人】东南大学 【当前专利权人地址】江苏省无锡市新区菱湖大道99号 【统一社会信用代码】12100000466006770Q 【引证次数】6.0 【他引次数】6.0 【家族引证次数】6.0 【家族被引证次数】7

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