【摘要】 本发明提供一种用于MOSFET噪声测试的半导体测试结构，所述半导体测试结构包括：形成在半导体衬底的具有第一导电类型的第一阱区上的MOSFET器件；形成在所述MOSFET器件上方的金属屏蔽层，所述金属屏蔽层完全覆盖所述MOSFET器件并且延伸超出所述第一阱区的四周；紧邻所述第一阱区的底面形成在所述半导体衬底中的具有第二导电类型的深阱区，所述深阱区延伸超出所述第一阱区的四周；其中在所述金属屏蔽层的超出所述第一阱区的部分与所述深阱区的超出所述第一阱区的部分之间形成有垂直通孔以使所述金属屏蔽层与所述深阱区耦接，所述金属屏蔽层被用于在测试时与测试机台的接地端连接，并且所述第一导电类型与所述第二导电类型为相反的导电类型。 【专利类型】发明申请 【申请人】无锡华润上华半导体有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】214028 江苏省无锡市国家高新技术产业开发区汉江路5号 【申请人地区】中国 【申请人城市】无锡市 【申请人区县】滨湖区 【申请号】CN201210406422.X 【申请日】2012-10-23 【申请年份】2012 【公开公告号】CN103779329A 【公开公告日】2014-05-07 【公开公告年份】2014 【授权公告号】CN103779329B 【授权公告日】2016-11-16 【授权公告年份】2016.0 【IPC分类号】H01L23/544 【发明人】何小东 【主权项内容】一种用于MOSFET噪声测试的半导体测试结构，其特征在于，所述半导体测试结构包括：形成在半导体衬底的具有第一导电类型的第一阱区上的MOSFET器件；形成在所述MOSFET器件上方的金属屏蔽层，所述金属屏蔽层完全覆盖所述MOSFET器件并且延伸超出所述第一阱区的四周；紧邻所述第一阱区的底面形成在所述半导体衬底中的具有第二导电类型的深阱区，所述深阱区延伸超出所述第一阱区四周；其中，在所述金属屏蔽层超出所述第一阱区的部分与所述深阱区超出所述第一阱区的部分之间形成有垂直通孔以使所述金属屏蔽层与所述深阱区耦接，所述金属屏蔽层被用于在测试时与测试机台的接地端连接，并且所述第一导电类型与所述第二导电类型为相反的导电类型。 【当前权利人】无锡华润上华科技有限公司 【当前专利权人地址】江苏省无锡市国家高新技术产业开发区新洲路8号 【专利权人类型】有限责任公司(外商合资) 【统一社会信用代码】91320214714903842J 【引证次数】3.0 【被引证次数】1 【他引次数】3.0 【被他引次数】1.0 【家族引证次数】7.0 【家族被引证次数】1

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