【摘要】 本发明提供一种功率晶体管及其制作方法，先在漏区与漂移区上制作栅区结构、沟道区及源区，然后对所述外延层进行刻蚀形成深沟槽并对所述深沟槽进行P型离子斜注入形成P型掺杂层，然后对所述深沟槽填充P型外延或绝缘材料形成P型柱体，最后制作隔离层及电极结构以完成制作。本发明先对深沟槽进行离子斜注入，然后对其填充P型外延或者绝缘材料，可以精确的控制离子注入的浓度和剂量，可获得宽度较小的P型柱体，有利于器件可靠性和集成度的提高；本发明也可以对所述深沟槽填充绝缘材料，配合离子斜注入也可以有效增加器件的击穿电压，增加N型体区的掺杂浓度，降低导通电阻，而且有利于节约成本。本发明工艺简单，适用于工业生产。 【专利类型】发明申请 【申请人】无锡维赛半导体有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】214028 江苏省无锡市无锡国家高新技术产业开发区长江路21-1号创源大厦1001室 【申请人地区】中国 【申请人城市】无锡市 【申请人区县】滨湖区 【申请号】CN201210225359.X 【申请日】2012-06-29 【申请年份】2012 【公开公告号】CN103515242A 【公开公告日】2014-01-15 【公开公告年份】2014 【IPC分类号】H01L21/336; H01L21/265; H01L29/78; H01L29/06 【发明人】白玉明 【主权项内容】一种功率晶体管的制作方法，其特征在于，至少包括以下步骤：1)提供第一导电类型的半导体衬底，在所述半导体衬底上形成第一导电类型的外延层，于所述外延层内制作栅区结构并在所述外延层中形成第二导电类型层；2)于所述第二导电类型层中形成第一导电类型层；3)刻蚀所述外延层以分别在所述栅区结构的两侧形成深沟槽，然后采用斜注入工艺对所述深沟槽侧壁进行第二导电类型离子注入，形成第二导电类型掺杂层；4)于所述深沟槽内填充第二导电类型材料或绝缘材料，形成第二导电类型的柱体结构；5)于所述第一导电类型层及所述柱体结构表面形成隔离层；6)刻蚀与所述栅区结构两侧具有预设间隔的隔离层、第一导电类型层以露出所述第二导电类型层，然后制备出覆盖于所述第二导电类型层及隔离层的上电极，使所述上电极同时与所述栅区结构每一侧的第二导电类型层及第一导电类型层接触。 【当前权利人】无锡维赛半导体有限公司 【当前专利权人地址】江苏省无锡市无锡国家高新技术产业开发区长江路21-1号创源大厦1001室 【专利权人类型】有限责任公司(中外合资) 【统一社会信用代码】913202145537777413 【引证次数】4.0 【被引证次数】3 【他引次数】4.0 【被他引次数】3.0 【家族引证次数】4.0 【家族被引证次数】3

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