【摘要】 本发明涉及一种具有低导通饱和压降的IGBT及其制造方法，其在有源区区内设置第二导电类型层，第二导电类型层通过导电多晶硅及绝缘栅介质层分隔成若干第二导电类型层第一区域及第二导电类型层第二区域；半导体基板的第一主面上覆盖有绝缘介质层；第二导电类型层第一区域内设置对称分布的第一导电类型注入区，第一导电类型注入区与相应的绝缘栅介质层相接触，且第二导电类型层第一区域上方设有发射极接触孔，发射极接触孔贯通绝缘介质层并延伸到第一主面上；发射极接触孔内填充有发射极金属层，且所述发射极金属层覆盖于绝缘介质层上，发射极金属层与第二导电类型层第一区域欧姆接触。本发明具有较低的饱和压降Vcesat和较高的耐冲击性能。 【专利类型】发明授权 【申请人】无锡新洁能股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】214131 江苏省无锡市滨湖区高浪东路999号(与华清路交叉口)无锡(滨湖)国家信息传感中心-B1号楼东侧第2层 【申请人地区】中国 【申请人城市】无锡市 【申请人区县】滨湖区 【申请号】CN201210058109.1 【申请日】2012-03-08 【申请年份】2012 【公开公告号】CN102569373B 【公开公告日】2014-08-13 【公开公告年份】2014 【授权公告号】CN102569373B 【授权公告日】2014-08-13 【授权公告年份】2014.0 【IPC分类号】H01L29/739; H01L29/06; H01L21/331 【发明人】朱袁正; 叶鹏 【主权项内容】一种具有低导通饱和压降的IGBT制造方法，其特征是，当所述IGBT器件的有源区采用沟槽元胞结构时，所述IGBT器件的制造方法包括如下步骤：(a)、提供具有两个相对主面的第一导电类型的半导体基板，所述两个主面包括第一主面和第二主面；半导体基板的第一主面与第二主面间包括第一导电类型漂移区；(b)、在上述第一主面上淀积硬掩膜层；(c)、选择性的掩蔽和刻蚀硬掩膜层，形成沟槽刻蚀的硬掩膜，并在第一主面上刻蚀形成沟槽，所述沟槽包括元胞沟槽；(d)、去除所述第一主面上的硬掩膜层，在所述沟槽内壁表面生长绝缘栅氧化层，并在所述内壁表面生长有绝缘栅氧化层的沟槽内淀积导电多晶硅；(e)、刻蚀去除第一主面上的导电多晶硅，得到沟槽内导电多晶硅；(f)、在第一主面上，自对准注入第二导电类型杂质离子，并通过高温推结形成第二导电类型层，第二导电类型层通过元胞沟槽及导电多晶硅分隔形成第二导电类型层第一区域及第二导电类型层第二区域；(g)、在所述第一主面上，进行源区光刻，并注入高浓度的第一导电类型杂质离子，并通过高温推结得到位于第二导电类型层第一区域内的第一导电类型注入区；(h)、在上述第一主面上，淀积绝缘介质层；(i)、选择性的掩蔽和刻蚀绝缘介质层，形成位于第二导电类型层第一区域上方的发射极接触孔；(j)、在所述绝缘介质层上方淀积金属层；(k)、选择性的掩蔽和刻蚀金属层，形成发射极金属层，所述发射极金属层填充发射极接触孔内，并与第二导电类型层第一区域相接触保持等电位；(l)、对所述半导体基板的第二主面进行研磨减薄；(m)、对经过减薄后的第二主面注入第一导电类型杂质离子，形成第一导电类型场截止区；(n)、对第二主面注入第二导电类型杂质离子，并通过高温退火进行杂质激活，形成第二导电类型注入区；(o)、在第二主面表面淀积金属层，形成集电极金属层。 【当前权利人】无锡新洁能股份有限公司 【当前专利权人地址】江苏省无锡市高浪东路999号B1号楼2层 【专利权人类型】股份有限公司(上市、自然人投资或控股) 【统一社会信用代码】913202000601816164 【引证次数】4.0 【被引证次数】1 【他引次数】4.0 【被他引次数】1.0 【家族引证次数】4.0 【家族被引证次数】15

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