【摘要】 本发明涉及一种用于三维集成混合键合结构及其键合方法，其包括第一衬底；所述第一衬底上设有与第一衬底电连接的键合互连金属，所述键合互连金属对应与第一衬底相连的另一端部内陷形成凹腔；第一衬底上在键合互连金属的周围覆盖有第一介电粘附层，所述第一介电粘附层包围键合互连金属且第一介电粘附层的高度低于键合互连金属的边缘高度。本发明第一介电粘附层的高度低于凸点顶部边缘的高度，当在压力作用下键合时，凸点顶部边缘与第二衬底焊盘先键合，能够阻挡介电粘附层进入键合互连金属与焊盘结合的表面，从而能够避免造成断路及可靠性问题；结构紧凑，工艺操作方便。 【专利类型】发明授权 【申请人】华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】214135 江苏省无锡市无锡国家高新技术产业开发区菱湖大道200号中国传感网国际创新园D1栋 【申请人地区】中国 【申请人城市】无锡市 【申请人区县】滨湖区 【申请号】CN201210050563.2 【申请日】2012-03-01 【申请年份】2012 【公开公告号】CN102593087B 【公开公告日】2014-09-03 【公开公告年份】2014 【授权公告号】CN102593087B 【授权公告日】2014-09-03 【授权公告年份】2014.0 【IPC分类号】H01L23/488; H01L21/603 【发明人】于大全 【主权项内容】一种用于三维集成混合键合结构，包括第一衬底(10)；其特征是：所述第一衬底(10)上设有与第一衬底(10)电连接的键合互连金属，所述键合互连金属对应与第一衬底(10)相连的另一端部内陷形成凹腔(31)，键合互连金属对应设置凹腔(31)的端部边缘形成凸点顶部边缘(60)；第一衬底(10)对应形成键合互连金属的表面覆盖有第一介电粘附层(20)，所述第一介电粘附层(20)包围键合互连金属且第一介电粘附层(20)的高度低于键合互连金属的高度；所述键合互连金属为高温键合金属(30)；所述高温键合金属(30)的材料为Cu、Ni、Al、Pt、Pd或Au中的一种或几种；所述键合互连金属包括高温键合金属(30)及位于所述高温键合金属(30)一端的低熔点钎料(40)，键合互连金属中的高温键合金属(30)与第一衬底(10)对应相连，并在低熔点钎料(40)的端部内陷形成凹腔(31)；第一介电粘附层(20)的高度低于低熔点钎料(40)形成凹腔(31)端部的高度；所述低熔点钎料(40)为锡基合金或铟基合金；所述第一介电粘附层(20)的材料包括BCB、SU-8、PI聚合物或SiO2；所述第一衬底(10)通过键合互连金属与第二键合体(2)对应配合，第二键合体(2)包括第二衬底(70)，所述第二衬底(70)的表面上设有与第二衬底(70)电连接的焊盘(50)，第二衬底(70)对应形成焊盘(50)的表面覆盖第二介电粘附层(25)；键合互连金属通过凸点顶部边缘(60)与焊盘(50)对应接触，并在所需的温度及压力下紧密结合，且第一介电粘附层(20)与第二介电粘附层(25)粘结后连成一体；所述焊盘(50)的材料为高温金属或低熔点钎料；所述第二介电粘附层(25)的材料包括BCB、PI聚合物或SiO2；所述第二衬底(70)的材料包括硅。。微信 【当前权利人】华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 【当前专利权人地址】江苏省无锡市新区菱湖大道200号中国传感网国际创新园D1栋 【专利权人类型】有限责任公司 【统一社会信用代码】913202130551581209 【引证次数】2.0 【他引次数】2.0 【家族引证次数】6.0 【家族被引证次数】57

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