【摘要】 本发明公开了一种基于高台阶斜坡的光刻方法及系统，该方法包括：S1、在衬底上制备具有高台阶斜坡的牺牲层；S2、在所述牺牲层上采用旋转涂胶方法覆盖一层光刻胶，形成光刻层；S3、设置掩膜版上的掩膜图形及补偿图形；S4、光刻机利用掩膜版对光刻层进行一次或多次光刻。通过在掩膜版上设置坡顶补偿图形和斜坡补偿图形，对具有高台阶斜坡的牺牲层的衬底进行光刻，在坡顶光刻胶厚度小部分设置较宽的补偿图形，进而对坡顶过曝光进行补偿，减小了光刻图形的误差，提高了高台阶斜坡的光刻精度。 【专利类型】发明申请 【申请人】无锡华润上华半导体有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】214028 江苏省无锡市国家高新技术产业开发区汉江路5号 【申请人地区】中国 【申请人城市】无锡市 【申请人区县】滨湖区 【申请号】CN201210407378.4 【申请日】2012-10-23 【申请年份】2012 【公开公告号】CN103777468A 【公开公告日】2014-05-07 【公开公告年份】2014 【授权公告号】CN103777468B 【授权公告日】2016-06-15 【授权公告年份】2016.0 【IPC分类号】G03F7/20 【发明人】苏佳乐 【主权项内容】一种基于高台阶斜坡的光刻方法，其特征在于，所述方法包括：S1、在衬底上制备具有高台阶斜坡的牺牲层；S2、在所述牺牲层上采用旋转涂胶方法覆盖一层光刻胶，形成光刻层；S3、设置掩膜版上的掩膜图形及补偿图形，所述掩膜图形为横跨坡顶、斜坡和坡底的长方形，补偿图形包括坡顶补偿图形和斜坡补偿图形，坡顶补偿图形为与坡顶对应设置且长度等于坡顶宽度、宽度大于掩膜图形宽度的长方形，斜坡补偿图形为若干与斜坡对应设置且与掩膜图形和坡顶补偿图形相邻设置的三角形；S4、光刻机利用掩膜版对光刻层进行一次或多次光刻。 【当前权利人】无锡华润上华科技有限公司 【当前专利权人地址】江苏省无锡市国家高新技术产业开发区新洲路8号 【专利权人类型】有限责任公司(外商合资) 【统一社会信用代码】91320214714903842J 【引证次数】4.0 【他引次数】4.0 【家族引证次数】18.0

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