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场终止绝缘栅双极型晶体管的制备方法专利

时间:2026-09-25    作者:admin 点击: ( 0 ) 次

【摘要】 本发明提供一种场终止绝缘栅双极型晶体管(FS-IGBT)的制备方法,属于绝缘栅双极型晶体管(IGBT)技术领域。该制备方法包括以下步骤:提供用于制备场终止绝缘栅双极型晶体管的、并在其背面完成场终止层掺杂的晶片;在所述晶片的背面上形成保护层;对所述晶片的正面完成正面工艺流程;去除所述保护层;以及在所述场终止层上形成背电极。该制备方法能防止FS层在正面工艺流程中被局部破坏,从而有利于提高FS-IGBT的性能和成品率。 【专利类型】发明申请 【申请人】无锡华润上华半导体有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】214028 江苏省无锡市国家高新技术产业开发区汉江路5号 【申请人地区】中国 【申请人城市】无锡市 【申请人区县】滨湖区 【申请号】CN201210250435.2 【申请日】2012-07-19 【申请年份】2012 【公开公告号】CN103578980A 【公开公告日】2014-02-12 【公开公告年份】2014 【IPC分类号】H01L21/331 【发明人】张硕; 芮强; 王根毅; 邓小社 【主权项内容】一种场终止绝缘栅双极型晶体管的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:提供用于制备场终止绝缘栅双极型晶体管的、并在其背面完成场终止层掺杂的晶片;在所述晶片的背面上形成保护层;对所述晶片的正面完成正面工艺流程;去除所述保护层;以及在所述场终止层上形成背电极。 【当前权利人】无锡华润上华科技有限公司 【当前专利权人地址】江苏省无锡市国家高新技术产业开发区新洲路8号 【专利权人类型】有限责任公司(外商合资) 【统一社会信用代码】91320214714903842J 【引证次数】4.0 【他引次数】4.0 【家族引证次数】6.0

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