【摘要】 本发明公开了一种低表面张力的硅基光纤阵列V槽的制作方法，它包括如下步骤：在硅基上生成保护薄膜、在保护薄膜上旋涂光刻胶膜、在光刻胶膜上光刻出腐蚀Ｖ槽所需的图案、使用RIE工艺刻蚀掉腐蚀Ｖ槽所需图案位置对应的保护薄膜、利用丙酮溶液去除硅基上的光刻胶膜、使用KOH溶液或TMAH溶液蚀刻已经被露出的硅基，形成Ｖ槽、用对应溶液去除硅基上的保护薄膜；在去除保护薄膜后的硅基上通过LPCVD工艺淀积的低表面张力薄膜。本发明解决了因表面处理不佳而导致的胶水粘接效果不佳及气泡等问题，提高了光纤阵列的良率及稳定性。 【专利类型】发明授权 【申请人】缪建民 【申请人类型】个人 【申请人地址】江苏省无锡市滨湖区高浪路999号太湖科技中心16楼华景传感科技(无锡)有限公司 【申请人地区】中国 【申请人城市】无锡市 【申请人区县】滨湖区 【申请号】CN201210100996.4 【申请日】2012-04-06 【申请年份】2012 【公开公告号】CN102608702B 【公开公告日】2014-04-30 【公开公告年份】2014 【授权公告号】CN102608702B 【授权公告日】2014-04-30 【授权公告年份】2014.0 【IPC分类号】G02B6/13; G02B6/136 【发明人】缪建民 【主权项内容】1. 一种低表面张力的硅基光纤阵列V槽的制作方法，其特征是该制作包括如下步骤： a、在<100>晶向硅基的上表面生成一层保护薄膜，所述保护薄膜为热氧化SiO2薄膜或Si3N4薄膜； b、在保护薄膜上通过匀胶机旋涂一层光刻胶膜； c、在光刻胶膜上光刻出腐蚀Ｖ槽所需的图案，使得腐蚀Ｖ槽所需图案位置对应的保护薄膜露出； d、使用反应离子刻蚀工艺刻蚀掉腐蚀Ｖ槽所需图案位置对应的保护薄膜，腐蚀Ｖ槽所需图案位置对应的硅基露出； e、利用丙酮溶液去除硅基上的光刻胶膜； f、使用KOH溶液或TMAH溶液蚀刻已经被步骤d露出的硅基，形成Ｖ槽，由于各向异性腐蚀，故Ｖ槽的侧面夹角由硅基的晶向决定，Ｖ槽两侧面的夹角为70.6°，Ｖ槽的开口宽度为120~125微米，Ｖ槽的脊背宽度为2~7微米； g、用对应溶液去除硅基上的保护薄膜； h、在去除保护薄膜后的硅基上通过低压化学汽相淀积形成Si3N4薄膜，Si3N4薄膜的厚度为100~300纳米； 所述步骤f中所述的KOH溶液中KOH的重量百分含量为20%~45%；所述的TMAH溶液中，TMAH的重量百分含量为20%~30%； 所述步骤g中所述的保护薄膜为SiO2薄膜，则使用BOE溶液去除SiO2薄膜，在BOE溶液中，HF与NH4F的物质的量之比为1 : 6，且在BOE溶液中，HF的重量百分含量为49%，NH4F的重量百分含量为40%； 所述步骤g中所述的保护薄膜为Si3N4薄膜，则使用H3PO4溶液去除Si3N4薄膜，在H3PO4溶液中H3PO4的重量百分含量为80%~85%。。 【当前权利人】华景传感科技(无锡)有限公司 【当前专利权人地址】江苏省无锡市新吴区菱湖大道200号中国传感网国际创新园F2 【家族引证次数】3.0

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