【摘要】 本发明涉及一种三维封装用金属间化合物填充的垂直通孔互连结构及制备方法，其包括衬底，所述衬底内设有至少一个垂直贯通穿透衬底的通孔；所述通孔的内壁生长有绝缘层，并在所述生长绝缘层的通孔内填充有金属间化合物层，所述金属间化合物层与绝缘层间设有粘附层。本发明衬底内设有至少一个垂直贯通的通孔，通孔的内壁上生长有绝缘层，并在通孔内填充金属间化合物层，金属间化合物层与绝缘层间具有粘附层；通过金属间化合物层能够完成三维堆叠中所需的电连接，整个形成制作过程方便，降低了工艺复杂度及制作成本；从而能够在集成电路上制作垂直互连结构，也能够在无源基板上制作转接板，提高合格率，安全可靠。 【专利类型】发明授权 【申请人】华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】214135 江苏省无锡市无锡国家高新技术产业开发区菱湖大道200号中国传感网国际创新园D1栋 【申请人地区】中国 【申请人城市】无锡市 【申请人区县】滨湖区 【申请号】CN201210041014.9 【申请日】2012-02-22 【申请年份】2012 【公开公告号】CN102569251B 【公开公告日】2014-07-02 【公开公告年份】2014 【授权公告号】CN102569251B 【授权公告日】2014-07-02 【授权公告年份】2014.0 【IPC分类号】H01L23/522; H01L21/768 【发明人】于大全 【主权项内容】一种三维封装用金属间化合物填充的垂直通孔互连结构，包括衬底(10)，所述衬底(10)内设有至少一个垂直贯通穿透衬底(10)的通孔(12)；其特征是：所述通孔(12)内由垂直方向连续的金属间化合物(40)填充，所述金属间化合物层(40)与衬底(10)间设有粘附层(30)；所述金属间化合物层(40)通过填充在通孔(12)内的高温金属层(24)与低熔点钎料填充体(26)热扩散形成；所述高温金属层(24)为Cu、Ni、Ag、Pd、Au或Fe中材料的一种或几种；低熔点钎料填充体(26)为Sn、In、SnAg、SnIn、SnBi、SnPb、SnAgCu、InAg、InSn中材料的一种或几种。 【当前权利人】华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 【当前专利权人地址】江苏省无锡市新区菱湖大道200号中国传感网国际创新园D1栋 【专利权人类型】有限责任公司 【统一社会信用代码】913202130551581209 【引证次数】4.0 【被引证次数】5 【他引次数】4.0 【被自引次数】1.0 【被他引次数】4.0 【家族引证次数】11.0 【家族被引证次数】25

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