【摘要】 一种带浮空场板的超结金属氧化物场效应管终端结构，包括：兼做漏区的N型重掺杂硅衬底、过渡区I及终端区II，在N型重掺杂硅衬底的上表面设有N型掺杂硅外延层，在N型掺杂硅外延层内设有过渡区I及终端区II，在过渡区I及终端区II内超结结构，在过渡区I内设有P型掺杂半导体区，在P型掺杂半导体区的上方设有过渡区多晶硅层，过渡区多晶硅层电连接有第一金属场板，在终端区II的各个N型掺杂硅柱状区域的上方分别设有终端区多晶硅层，各个终端区多晶硅层分别向过渡区I延伸并分别止于相邻的P型掺杂柱状半导体区的上方，在各个终端区多晶硅层上电连接有第二金属场板，第二金属场板向终端区II的外边界延伸并止于下一块终端区多晶硅层的上方。 【专利类型】发明授权 【申请人】东南大学 【申请人类型】学校 【申请人地址】214135 江苏省无锡市新区菱湖大道99号 【申请人地区】中国 【申请人城市】无锡市 【申请人区县】滨湖区 【申请号】CN201210227688.8 【申请日】2012-06-30 【申请年份】2012 【公开公告号】CN102760756B 【公开公告日】2014-12-17 【公开公告年份】2014 【授权公告号】CN102760756B 【授权公告日】2014-12-17 【授权公告年份】2014.0 【IPC分类号】H01L29/40; H01L29/06 【发明人】祝靖; 张龙; 吴逸凡; 钱钦松; 孙伟锋; 陆生礼; 时龙兴 【主权项内容】一种带浮空场板的超结金属氧化物场效应管终端结构，包括：兼做漏区的N型重掺杂硅衬底(2)、过渡区(I)及终端区(II)，在N型重掺杂硅衬底(2)的下表面设置有漏极金属(1)，在N型重掺杂硅衬底(2)的上表面设有N型掺杂硅外延层(3)，在N型掺杂硅外延层(3)内设有过渡区(I)及终端区(II)且终端区(II)位于过渡区(I)外部，在过渡区(I)内设有过渡区(I)的超结结构，在终端区(II)内设有终端区(II)的超结结构，所述的超结结构包括P型掺杂硅柱状区域(4)和N型掺杂硅柱状区域(5)，P型掺杂硅柱状区域(4)和N型掺杂硅柱状区域(5)交替排列，在过渡区(I)内设有P型掺杂半导体区(6)且P型掺杂半导体区(6)与过渡区(I)的内边界相邻，在N型掺杂硅外延层(3)上设有N型重掺杂半导体区(12)且N型重掺杂半导体区(12)位于终端区(II)的外部，在N型掺杂硅外延层(3)的上方设有氧化层(7)，其特征在于，在P型掺杂半导体区(6)的上方设有过渡区多晶硅层(8)且过渡区多晶硅层(8)位于氧化层(7)内，在过渡区多晶硅层(8)上电连接有第一金属场板(9)，且所述第一金属场板(9)向外覆盖到过渡区(I)内的最外侧的P型掺杂硅柱状区域(4)上方，在终端区(II)的超结结构中的各个N型掺杂硅柱状区域(5)的上方分别设有终端区多晶硅层(10)且终端区多晶硅层(10)位于氧化层(7)内，各个终端区多晶硅层(10)分别向过渡区(I)延伸并分别止于与各个N型掺杂硅柱状区域(5)相邻的P型掺杂硅柱状区域(4)的上方，在各个终端区多晶硅层(10)上电连接有第二金属场板(11)，且最外侧的第二金属场板以外的其他第二金属场板向终端区(II)的外边界延伸并止于下一块终端区多晶硅层(10)的上方，最外侧的第二金属场板向终端区(II)的外边界延伸并越过与其相连的终端区多晶硅层。 【当前权利人】东南大学 【当前专利权人地址】江苏省无锡市新区菱湖大道99号 【统一社会信用代码】12100000466006770Q 【引证次数】3.0 【他引次数】3.0 【家族引证次数】3.0 【家族被引证次数】18

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