【摘要】 本发明涉及一种用于MEMS器件的自对准封装结构及其制造方法，其包括盖板及承载衬底；承载衬底上设有MEMS结构，盖板内凹设有容纳槽，MEMS结构伸入容纳槽内，容纳槽的槽底设有吸气剂；盖板对应容纳槽槽口的外侧设有盖板键合定位凸块，且盖板上设有盖板键合层；承载衬底上设有衬底键合定位凸块，衬底键合定位凸块与MEMS结构间设有键合定位槽，承载衬底表面设有衬底键合层；盖板键合定位凸块伸入键合定位槽内对应配合后实现自对准，盖板键合层与衬底键合层对应接触，且盖板与承载衬底通过盖板键合层及衬底键合层键合后连成一体。本发明结构简单紧凑，能满足MEMS高精度封装要求，增大键合区面积，提高封装的可靠性及密闭性。 【专利类型】发明授权 【申请人】江苏物联网研究发展中心 【申请人类型】科研单位 【申请人地址】214135 江苏省无锡市新区菱湖大道200号中国传感网国际创新园C座4楼 【申请人地区】中国 【申请人城市】无锡市 【申请人区县】滨湖区 【申请号】CN201210122868.X 【申请日】2012-04-24 【申请年份】2012 【公开公告号】CN102627253B 【公开公告日】2014-08-13 【公开公告年份】2014 【授权公告号】CN102627253B 【授权公告日】2014-08-13 【授权公告年份】2014.0 【IPC分类号】B81B7/00; B81C3/00 【发明人】秦毅恒; 明安杰 【主权项内容】一种用于MEMS器件的自对准封装结构制备方法，其特征是，所述自对准封装结构制备方法包括如下步骤：(a)、提供第一衬底(1)，并在第一衬底(1)的正面与背面均覆盖硬掩膜层(3)；(b)、选择性地掩蔽和刻蚀上述第一衬底(1)，以在第一衬底(1)上所需位置形成对准标记；(c)、在上述第一衬底(1)的正面通过常规工艺制备形成MEMS结构(5)，以在第一衬底(1)上形成承载衬底区域(21)及盖板区域(22)，所述MEMS结构(5)位于承载衬底区域(21)；(d)、在上述第一衬底(1)的正面淀积保护层(20)，所述保护层(20)覆盖第一衬底(1)的正面及MEMS结构(5)；(e)、选择性地掩蔽和刻蚀上述保护层(20)及保护层(20)下方的第一衬底(1)，去除第一衬底(1)背面的硬掩膜层(3)，并在第一衬底(1)的承载衬底区域(21)上得到衬底键合定位凸块(7)，且在盖板区域(22)上得到盖板键合定位凸块(29)，衬底键合定位凸块(7)与MEMS结构(5)间得到键合定位槽(6)，所述键合定位槽(6)与盖板键合定位凸块(29)对应匹配；(f)、选择性地掩蔽和刻蚀上述第一衬底(1)，在盖板区域(22)内得到容纳槽(9)，所述容纳槽(9)位于盖板区域(22)的盖板键合定位凸块(29)间；(g)、在上述第一衬底(1)的正面淀积键合材料，以得到位于承载衬底区域(21)的衬底键合层(8)及位于盖板区域(22)的盖板键合层(28)，所述盖板键合层(28)覆盖容纳槽(9)的槽底；(h)、在上述容纳槽(9)的槽底内淀积吸气剂材料，以得到吸气剂(10)；(i)、将上述第一衬底(1)的背面减薄到所需厚度；(j)、选择性地掩蔽和刻蚀第一衬底(1)的背面，得到贯通第一衬底(1)的连接通孔，所述连接通孔包括位于承载衬底区域(21)的第一连接通孔(11)，所述第一连接通孔(11)从第一衬底(1)的背面刻蚀延伸至MEMS结构(5)；(k)、在上述连接通孔内填充导电材料，第一连接通孔(11)填充导电材料后形成衬底电连接通孔(14)，所述衬底电连接通孔(14)与MEMS结构(5)电连接；(l)、去除上述第一衬底(1)上的保护层(20)及位于所述保护层(20)上的键合材料，以使得MEMS结构(5)裸露，并使得衬底键合定位凸块(7)及盖板键合定位凸块(29)的顶端裸露；(m)、提供与上述第一衬底(1)结构相同的第二衬底(25)，并将所述第二衬底(25)放置于第一衬底(1)的上方，第二衬底(25)的盖板区域(22)与第一衬底(1)的承载衬底区域(21)相对应，第二衬底(25)的承载衬底区域(21)与第一衬底(1)的盖板区域(21)相对应，第一衬底(1)与第二衬底(25)通过对准标记对准后，盖板键合定位凸块(29)伸入键合定位槽(6)内，以使得第一衬底(1)与第二衬底(25)对应的键合层相接触；(n)、将上述第一衬底(1)对应的键合层与第二衬底(25)对应的键合层进行键合，以使得第一衬底(1)与第二衬底(25)连接成一体。 【当前权利人】中科芯未来微电子科技成都有限公司 【当前专利权人地址】四川省成都市双流区东升街道成都芯谷产业园区(1号楼)集中区内 【统一社会信用代码】1232020046637256X7 【引证次数】8.0 【他引次数】8.0 【家族引证次数】8.0 【家族被引证次数】14

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