【摘要】 本发明公开了一种一次性扩散制备选择性发射极的方法，包括以下步骤：(一)装片；(二)扩散；(三)测片；(四)卸片。本发明通过在扩散时采用活动选择性扩散模板或固定选择性扩散模板对硅片进行选择性遮掩，使硅片上的栅线印刷位置暴露在扩散气氛中，而硅片上其它部位则被遮掩，扩散后分别形成深扩散区和浅扩散区，从而直接形成选择性发射极，解决了现有技术的制备选择性发射极的方法成本高，制作复杂，量产难度较大的问题。本发明制备工艺简单，可操作性强；大大简化了制备工艺，降低了制备成本；适合大批量生产。。 【专利类型】发明授权 【申请人】浙江正泰太阳能科技有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】310000 浙江省杭州市滨江区滨安路1335号 【申请人地区】中国 【申请人城市】杭州市 【申请人区县】滨江区 【申请号】CN201210158557.9 【申请日】2012-05-22 【申请年份】2012 【公开公告号】CN102779897B 【公开公告日】2014-11-12 【公开公告年份】2014 【授权公告号】CN102779897B 【授权公告日】2014-11-12 【授权公告年份】2014.0 【IPC分类号】H01L31/18 【发明人】胡金艳; 韩玮智; 牛新伟 【主权项内容】1.一种一次性扩散制备选择性发射极的方法，其特征在于，所述的方法包括以下步骤：(一)装片：将一片硅片与一片活动选择性扩散模板贴合后同时插入分体式石英舟上的卡槽，所述卡槽的宽度为单片硅片与单片活动选择性扩散模板的厚度之和；或两片背面相互贴合的硅片夹在两片活动选择性扩散模板之间后同时插入分体式石英舟上的卡槽，所述卡槽的宽度为两片硅片与两片活动选择性扩散模板的厚度之和；或将一片硅片直接插入带有一片固定选择性扩散模板的一体式石英舟上的卡槽，所述固定选择性扩散模板位于卡槽一侧，所述卡槽的宽度为单片硅片的的厚度；或将两片背面相互贴合的硅片直接插入带有两片固定选择性扩散模板的一体式石英舟上的卡槽，所述固定选择性扩散模板分别位于卡槽两侧，所述卡槽的宽度为两片硅片的厚度之和；所述活动选择性扩散模板与固定选择性扩散模板上均设有镂空槽，所述镂空槽的形状与硅片正面的栅线印刷图案相同；(二)扩散：采用三氯氧磷液态源扩散法进行扩散，三氯氧磷液态源温度为20℃，扩散包括以下步骤：(1)进舟：在扩散炉中通入流量为15~20L/min的大N2使扩散炉升温 ，当炉内温度升至800~810℃时，将插有硅片的分体式石英舟或一体式石英舟推入扩散炉中，进舟时间为15~20min；(2)回温：调节大N2流量至25~30L/min，使炉内温度升至并稳定在840~850℃；(3)预氧化：通入流量为4~10L/min的O2；(4)通源：待O2通入1~3min后，调节大N2流量至20~25L/min，同时通入通过三氯氧磷液态源且流量为2~4L/min的小N2；(5)氮气驱入：待小N2通入15~20min后，关闭O2和小N2，继续通入大N2；(6)氧气驱入：待大N2再通入10~20min后，关闭大N2，通入流量为4~10 L/min 的O2；(7)降温：待O2通入8~15min后，关闭O2，再通入流量为25~30 L/min的大N2，待炉内温度降至800~810℃时，关闭大N2；(8)出舟：将分体式石英舟或一体式石英舟退至炉口，退舟时间为15~20min，待炉内温度降至750~780℃时，将分体式石英舟或一体式石英舟从扩散炉内取出冷却；(三)测片：随机抽取若干硅片采用四探针法进行方阻测试；(四)卸片。 微信 【当前权利人】正泰新能科技股份有限公司 【当前专利权人地址】浙江省嘉兴市海宁市尖山新区吉盛路1号 【专利权人类型】有限责任公司(非自然人投资或控股的法人独资) 【统一社会信用代码】913301087936581787 【引证次数】7.0 【他引次数】7.0 【家族引证次数】7.0 【家族被引证次数】8

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