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一种电荷补偿结构半导体晶片及其制备方法专利

时间:2026-10-09    作者:admin 点击: ( 2 ) 次

【摘要】 本发明公开了一种电荷补偿结构半导体晶片,在半导体漂移层中引入了条状浮空的电荷补偿结构,通过两次或三次刻蚀外延工艺,形成在垂直方向上具有较大高宽比的电荷补偿结构,提高了晶片反向阻断特性;本发明还提供了一种电荷补偿结构半导体晶片的制备方法。 【专利类型】发明申请 【申请人】朱江 【申请人类型】个人 【申请人地址】310018 浙江省杭州市下沙三号大街裕园公寓1号603室 【申请人地区】中国 【申请人城市】杭州市 【申请人区县】上城区 【申请号】CN201210296739.2 【申请日】2012-08-20 【申请年份】2012 【公开公告号】CN103633116A 【公开公告日】2014-03-12 【公开公告年份】2014 【授权公告号】CN103633116B 【授权公告日】2017-02-15 【授权公告年份】2017.0 【IPC分类号】H01L29/06; H01L21/20 【发明人】朱江 【主权项内容】一种电荷补偿结构半导体晶片,其特征在于:包括:第一漂移层,为条状第一导电类型半导体材料与条状第二导电类型半导体材料交替排列构成;中间层,位于第一漂移层之上,为第一导电类型半导体材料构成;第二漂移层,位于中间层之上,为条状第一导电类型半导体材料与条状第二导电类型半导体材料交替排列构成。 【当前权利人】北海惠科半导体科技有限公司 【当前专利权人地址】广西壮族自治区北海市工业园区北海大道东延线336号广西惠科科技有限公司16幢三楼301室 【家族引证次数】7.0

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