【摘要】 本发明公开了一种单片误差放大器，该单片误差放大器包括串联的第一级放大电路和第二级放大电路，好包括与第二级放大电路并联的补偿电路；该第一级放大电路由四个P型MOS管、四个N型MOS管、一个恒流源构建；所述第二级放大电路由两个P型MOS管和两个N型MOS管构建；所述补偿电路由一电阻和一电容构建。该新型的单片误差放大器电路结构简单，适用于集成电路中；该单片误差放大器采用两级高增益放大电路和补偿电路，在高开环增益的条件下依然可以保证环路稳定，在频率的补偿上比较方便，稳定性好。 【专利类型】发明申请 【申请人】郑州单点科技软件有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】450016 河南省郑州市经济技术开发区第八大街信息产业园1228室 【申请人地区】中国 【申请人城市】郑州市 【申请人区县】管城回族区 【申请号】CN201210338042.7 【申请日】2012-09-13 【申请年份】2012 【公开公告号】CN103684291A 【公开公告日】2014-03-26 【公开公告年份】2014 【IPC分类号】H03F3/45 【发明人】王纪云; 桑园 【主权项内容】一种单片误差放大器，包括并联连接的第二级放大电路和补偿电路，还包括与所述第二级放大电路和补偿电路的并联电路串联的第一级放大电路；所述第一级放大电路包括：P型的第一MOS管(M1)、第二MOS管(M2)、第五MOS管(M5)、第六MOS管(M6)，N型的第三MOS管(M3)、第四MOS管(M4)、第七MOS管(M7)、第八MOS管(M8)，外接的第一偏执基准电压(V1)、第二偏执基准电压(V2)，第一输入端(IN1)，第二输入端(IN2)，恒流源(I1)；输入电压(Vdd)与第一MOS管(M1)的源极和第五MOS管(M5)的源极连接，第一MOS管(M1)的漏极与第二MOS管(M2)的源极连接，第五MOS管(M5)的源极与第六MOS管(M6)的源极连接，第二MOS管(M2)的漏极与第三MOS管(M3)的漏极连接，第三MOS管(M3)的源极与第四MOS管(M4)的漏极连接，第六MOS管(M6)的漏极与第七MOS管(M7)的漏极连接，第七MOS管(M7)的源极与第八MOS管(M8)的漏极连接，第四MOS管(M4)的源极和第八MOS管(M8)的源极与恒流源(I1)的输出端连接，恒流源(I1)的另一端接地(GND)，第一偏执基准电压(V1)与第三MOS管(M3)的栅极和第七MOS管(M7)的栅极连接，第二偏执基准电压(V2)与第一MOS管(M1)的栅极和第五MOS管(M5)的栅极连接，第一输入端(IN1)与第四MOS管(M4)的栅极连接，第二输入端(IN2)与第八MOS管(M8)的栅极连接，第二MOS管(M2)的漏极与第一MOS管(M1)的栅极连接；所述第二级放大电路包括：P型的第十MOS管(M10)、第十一MOS管(M11)，N型的第十二MOS管(M12)、第十三MOS管(M13)，外接的第三偏执基准电压(V3)、第四偏执基准电压(V4)、第五偏执基准电压(V5)，输出端(OUT)；输入电压(Vdd)与第十MOS管(M10)的源极连接，第十MOS管(M10)的漏极与第十一MOS管(M11)的源极连接，第十一MOS管(M11)的漏极与第十二MOS管(M12)的漏极和输出端(OUT)连接，第十二MOS管(M12)的源极与第十三MOS管(M13)的漏极连接，第十三MOS管(M13)的源极接地(GND)；第十MOS管(M10)的栅极与第一放大电路的第六MOS管(M6)的漏极和第七MOS管(M7)的漏极连接，第十一MOS管(M11)的栅极与第三偏执基准电压(V3)连接，第十二MOS管(M12)的栅极与第四偏执基准电压(V4)连接，第十三MOS管(M13)的栅极与第五偏执基准电压(V5)连接；所述补偿电路包括第一电阻(R1)和第一电容(C1)；第一电阻(R1)的一端与第一级放大电路的第六MOS管(M6)的漏极、第七MOS管(M7)的漏极以及第二级放大电路的第十MOS管(M10)的栅极连接，另一端与第一电容(C1)的一端连接，第一电容(C1)与第十一MOS管(M11)的漏极、第十二MOS管(M12)的漏极和输出端(OUT)连接。 【当前权利人】郑州单点科技软件有限公司 【当前专利权人地址】河南省郑州市经济技术开发区第八大街信息产业园1228室 【专利权人类型】有限责任公司(自然人投资或控股) 【统一社会信用代码】914101007967915487

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