【摘要】 一种以单质碘为催化剂原位生长一维纳米阵列氧化锌光电薄膜的方法。该方法先将表面洁净的金属锌基底材料平放于容器底部，加入氢氧化钠溶液，然后加入单质碘粉，且避免与锌片直接接触。在160℃反应12h，即在锌基底材料表面原位生长出具有一维纳米阵列结构的氧化锌光电薄膜，产物用无水乙醇洗涤3次，室温下干燥即可。其中表面洁净的金属锌基底材料，是将金属锌置于0.6mol/L稀硝酸中浸泡1min，然后于无水乙醇中超声清洗3min，最后浸泡于无水乙醇中待用。其容器为有聚四氟乙烯内胆的不锈钢反应釜，碘粉的浓度为2.0~10.0g/L。本发明所得氧化锌光电薄膜，表面均匀致密、纯度高、粒径均一、长径比大。原料廉价无毒，不需后续提纯，环境友好，能大面积制备，便于工业化生产。 【专利类型】发明授权 【申请人】许昌学院; 郑直 【申请人类型】个人,学校 【申请人地址】461000 河南省许昌市八一路88号 【申请人地区】中国 【申请人城市】许昌市 【申请人区县】魏都区 【申请号】CN201210083890.8 【申请日】2012-03-27 【申请年份】2012 【公开公告号】CN102627311B 【公开公告日】2014-05-07 【公开公告年份】2014 【授权公告号】CN102627311B 【授权公告日】2014-05-07 【授权公告年份】2014.0 【IPC分类号】C01G9/02; B82Y40/00 【发明人】郑直; 李志莹; 雷岩; 葛素香; 法文君; 张艳鸽; 李艳巧; 黄晚霞 【主权项内容】1.一维氧化锌纳米晶阵列光电薄膜材料的制备方法，其特征在于：在锌片表面原位生长一维氧化锌纳米晶阵列光电薄膜材料，纳米晶直径范围为60nm~200nm，长度范围为2μm~3μm，形貌均匀且致密，其制备步骤依次为：1)将表面洁净的金属锌基底材料平放于容器底部，然后加入浓度0.2500mol/L~0.5125mol/L氢氧化钠溶液，最后将碘粉加入到氢氧化钠溶液表面，并避免与金属锌基底材料直接接触，其碘粉的质量浓度范围2.0g/L~10.0g/L；2)将容器放于160℃温度下反应12小时，反应结束后即制得在锌基底材料的表面原位生长出具有一维氧化锌纳米晶阵列光电薄膜材料；3)步骤2)产物用无水乙醇洗涤3次，室温干燥即可；所述容器为具有聚四氟乙烯内胆的不锈钢反应釜。 【当前权利人】许昌学院; 郑直 【当前专利权人地址】河南省许昌市八一路88号; 【专利权人类型】公立 【统一社会信用代码】12410000415803112D 【引证次数】3.0 【他引次数】3.0 【家族引证次数】3.0 【家族被引证次数】1

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