【摘要】 本发明公开了一种驱动发光器件的单片集成电路。该驱动电路包括第一输入端(IN1)、第二输入端(IN2)和输出端(OUT)，所述输出端(OUT)连接至发光器件，其特征在于，该电路还包括第一PMOS晶体管(P1)、第二PMOS晶体管(P2)、第三PMOS晶体管(P3)、第一NMOS晶体管(N1)、第二NMOS晶体管(N2)、第三PMOS晶体管(N3)、第一电容(C1)和第二电容(C2)。本发明的有益效果是：电路结构简单，相应速度快，MOS管所占芯片面积较小，适合于集成电路的集成。 ： 【专利类型】发明申请 【申请人】郑州单点科技软件有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】450016 河南省郑州市经济技术开发区第八大街信息产业园1228室 【申请人地区】中国 【申请人城市】郑州市 【申请人区县】管城回族区 【申请号】CN201210340965.6 【申请日】2012-09-16 【申请年份】2012 【公开公告号】CN103687145A 【公开公告日】2014-03-26 【公开公告年份】2014 【IPC分类号】H05B37/02 【发明人】王纪云; 吴勇; 桑园 【主权项内容】1.一种驱动发光器件的单片集成电路，包括第一输入端(IN1)、第二输入端(IN2)和输出端(OUT)，所述输出端(OUT)连接至发光器件，其特征在于，该电路还包括第一PMOS晶体管(P1)、第二PMOS晶体管(P2)、第三PMOS晶体管(P3)、第一NMOS晶体管(N1)、第二NMOS晶体管(N2)、第三PMOS晶体管(N3)、第一电容(C1)和第二电容(C2)；所述第三NMOS晶体管(N3)与第四NMOS晶体管(N4)为参数相同的NMOS晶体管, 所述第三PMOS晶体管(P3)与第二PMOS晶体管(P2)为参数相同的PMOS晶体管； 所述第一输入端(IN1)连接至第一NMOS晶体管管(N1)的栅极、第二PMOS晶体管(P2)的栅极和第二NMOS晶体管(N2)的栅极，第二输入端(IN2)连接至第一PMOS晶体管(P1)的栅极、第三NMOS晶体管(N3)的栅极和第四NOMS晶体管(N4)的栅极；第一电容(C1)的一端连接至输出端(OUT)和第二PMOS晶体管(P2)的源极，另一端连接至第一PMOS晶体管(P1)的漏极和第一NMOS晶体管(N1)的源极；第二电容(C2)的一端连接至第四NMOS晶体管(N4)的漏极和第三PMOS晶体管(P3)的栅极，另一端连接至第一PMOS晶体管(P1)的漏极和第一NMOS晶体管(N1)的源极；第一PMOS晶体管(P1)的源极、第一NMOS晶体管(N1)的漏极和第三PMOS晶体管(P3)的源极均连接电压源(VDD)；第三NMOS晶体管(N3)的源极和第四NMOS晶体管(N4)的源极均接地；第二NMOS晶体管(N2)的漏极连接至第二PMOS晶体管(P2)的漏极和第三PMOS晶体管(P3)的漏极，源极连接至第三NMOS晶体管(N3)的漏极。。 【当前权利人】郑州单点科技软件有限公司 【当前专利权人地址】河南省郑州市经济技术开发区第八大街信息产业园1228室 【专利权人类型】有限责任公司(自然人投资或控股) 【统一社会信用代码】914101007967915487

未经允许不得转载：http://www.zhongzhencnc.com/1791211534.html