【摘要】 本发明公开了一种CMOS电平移动电路。该电路包括参数相同的第一PMOS管(P1)、第二PMOS管(P2)、第三PMOS管(P3)、第四PMOS管(P4)、第五PMOS管(P5)、第六PMOS管(P6)，参数相同的第一NMOS管(N1)、第二NMOS管(N2)、第三NMOS管(N3)和第四NMOS管(N4)。本发明的有益效果是：MOS管在半导体电路中所占的面积较小且工艺成熟、响应速度高，本电路结构简单，减小电路面积，提高CMOS电平移动速度和质量，适用于集成电路。 【专利类型】发明申请 【申请人】郑州单点科技软件有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】450016 河南省郑州市经济技术开发区第八大街信息产业园1228室 【申请人地区】中国 【申请人城市】郑州市 【申请人区县】管城回族区 【申请号】CN201210337860.5 【申请日】2012-09-13 【申请年份】2012 【公开公告号】CN103684410A 【公开公告日】2014-03-26 【公开公告年份】2014 【IPC分类号】H03K19/0185 【发明人】王晓娟; 吴勇; 桑园 【主权项内容】一种CMOS电平移动电路，其特征在于，包括参数相同的第一PMOS管(P1)、第二PMOS管(P2)、第三PMOS管(P3)、第四PMOS管(P4)、第五PMOS管(P5)、第六PMOS管(P6)，参数相同的第一NMOS管(N1)、第二NMOS管(N2)、第三NMOS管(N3)、第四NMOS管(N4)；所述第一PMOS管(P1)的源极连接电压源(VDD)，漏极连接第二PMOS管(P2)的源极，栅极与第四PMOS管(P4)的漏极、第二NMOS管(N2)的漏极、第五PMOS管(P5)的栅极和第三NMOS管(N3)的栅极连接；第二PMOS管(P2)的栅极连接第一NMOS管(N1)的栅极和第二同相信号端(TURE2)，漏极与第一NMOS管(N1)的漏极、第六PMOS管(P6)的栅极、第四NMOS管(N4)的栅极和第三PMOS管(P3)的栅极连接；第三PMOS管(P3)的源极和栅极分别连接电压源(VDD)和第四PMOS管(P4)的源极；第四PMOS管(P4)的漏极连接第二NMOS管(N2)的漏极，栅极连接第二NMOS管(N2)的栅极和第一方向信号端(BAR1)；第五PMOS管(P5)的源极连接电压源(VDD)，漏极连接第三NMOS管(N3)的漏极和第二反相信号端(BAR1)；第六PMOS管(P6)的漏极连接第四NMOS管(N4)的漏极和第一同相信号端(TURE1)；所述第一NMOS管(N1)的源极、第二NMOS管(N2)的源极、第三NMOS管(N3)的源极和第四NMOS管(N4)的源极均接地(GND)。 【当前权利人】郑州单点科技软件有限公司 【当前专利权人地址】河南省郑州市经济技术开发区第八大街信息产业园1228室 【专利权人类型】有限责任公司(自然人投资或控股) 【统一社会信用代码】914101007967915487

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