【摘要】本发明涉及一种特高频双模预分频电路结构及其集成电路芯片结构,属于电路结构技术领域。该特高频双模预分频电路结构包括反馈回路和多级分频回路,反馈回路的输入端连接待分频的输入信号,反馈回路的输出端连接多级分频回路的输入端,多级分频回路的输
【摘要】 一种抗电源噪声干扰的高压侧栅极驱动电路,包括浮动电源VB-VS,双脉冲产生电路,高压电平位移电路,含有随机失调噪声滤波电路的噪声滤波电路,RS触发器,输出驱动电路,在随机失调噪声滤波电路上连接有共模噪声滤波电路,并且共模噪声滤波电路的第一、第二输出端与随机失调噪声滤波电路的第一、第二输入端连接,所述共模噪声滤波电路由六个与非门和四个反相器组成,它能有效的滤除高压侧电源VB浮动过程中产生的电源共模噪声,避免了高压侧电路由于共模噪声干扰而造成的误触发现象,所述共模噪声滤波电路,采用纯数字电路、没有无源器件、电路结构简单,适合高压侧栅极驱动电路、半桥驱动电路和智能功率模块等芯片的应用。 【专利类型】发明授权 【申请人】东南大学 【申请人类型】学校 【申请人地址】214135 江苏省无锡市新区菱湖大道99号 【申请人地区】中国 【申请人城市】无锡市 【申请人区县】滨湖区 【申请号】CN201210059630.7 【申请日】2012-03-08 【申请年份】2012 【公开公告号】CN102611425B 【公开公告日】2014-05-14 【公开公告年份】2014 【授权公告号】CN102611425B 【授权公告日】2014-05-14 【授权公告年份】2014.0 【IPC分类号】H03K19/003 【发明人】钱钦松; 祝靖; 刘少鹏; 王岩; 孙伟锋; 陆生礼; 时龙兴 【主权项内容】一种抗电源噪声干扰的高压侧栅极驱动电路,包括浮动电源VB-VS,双脉冲产生电路(1),高压电平位移电路(2),含有随机失调噪声滤波电路(3-2)的噪声滤波电路(3),RS触发器(4),输出驱动电路(5), 其中双脉冲产生电路(1)将低压控制信号Vin转换成窄脉冲Von和窄脉冲Voff作为高压电平位移电路(2)的输入,高压电平位移电路(2)完成低压控制信号到高压控制信号的转换,然后高压控制信号经过噪声滤波电路(3)的滤波,再经过RS触发器(4),RS触发器(4)将窄脉冲信号还原为高压侧栅极驱动电路的控制信号,控制信号再经过输出驱动电路(5)增加其驱动能力, 其特征在于:在随机失调噪声滤波电路(3-2)上连接有共模噪声滤波电路(3-1),并且共模噪声滤波电路(3-1)的第一、第二输出端与随机失调噪声滤波电路(3-2)的第一、第二输入端连接,所述共模噪声滤波电路(3-1)由第一与非门(NAND1)、第二与非门(NAND2)、第三与非门(NAND3)、第四与非门(NAND4)、第五与非门(NAND5)、第六与非门(NAND6)和第一反相器(inv1)、第二反相器(inv2)、第三反相器(inv3)、第四反相器(inv4)组成,第一与非门(NAND1)的一个输入端与第三与非门(NAND3)的一个输入端连接并作为共模噪声滤波电路(3-1)的一个输入端,第一与非门(NAND1)的另一个输入端与第二与非门(NAND2)的一个输入端连接并作为共模噪声滤波电路(3-1)的另一个输入端,第一与非门(NAND1)的输出端分别与第二与非门(NAND2)的另一个输入端及第三与非门(NAND3)的另一个输入端连接,第二与非门(NAND2)的输出端及第三与非门(NAND3)的输出端分别与第四与非门(NAND4)的两个输入端连接,第四与非门(NAND4)的输出端分别与第五与非门(NAND5)的一个输入端及第六与非门(NAND6)的一个输入端连接并用于将控制信号A传输给第五与非门(NAND5)及第六与非门(NAND6),所述第一与非门(NAND1)的一个输入端依次通过第三反相器(inv3)及第四反相器(inv4)与第六与非门(NAND6)的另一个输入端连接,所述第一与非门(NAND1)的另一个输入端依次通过第一反相器(inv1)及第二反相器(inv2)与第五与非门(NAND5)的另一个输入端连接,所述第五与非门(NAND5)的输出端作为共模噪声滤波电路(3-1)的第一输出端,所述第六与非门(NAND6)的输出端作为共模噪声滤波电路(3-1)的第二输出端。 数据由整理 【当前权利人】东南大学 【当前专利权人地址】江苏省无锡市新区菱湖大道99号 【统一社会信用代码】12100000466006770Q 【家族引证次数】5.0 【家族被引证次数】27
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