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用于对背面湿法腐蚀后的晶片的正面进行光刻方法专利

时间:2026-09-25    作者:admin 点击: ( 0 ) 次

【摘要】 本发明提供一种用于对背面湿法腐蚀后的晶片的正面进行光刻方法,属于半导体制造的光刻技术领域。该光刻方法包括步骤:提供背面湿法腐蚀后的晶片;在所述晶片的背面上贴膜;将所述晶片的背面相向地置于光刻机的载片台上固定;以及在所述晶圆的正面上完成正面光刻。本发明的光刻方法简单、成本低,并且能有效提高该晶片的正面光刻的精确度。 【专利类型】发明申请 【申请人】无锡华润上华半导体有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】214028 中国无锡市国家高新技术产业开发区汉江路5号 【申请人地区】中国 【申请人城市】无锡市 【申请人区县】滨湖区 【申请号】CN201210250473.8 【申请日】2012-07-19 【申请年份】2012 【公开公告号】CN103576462A 【公开公告日】2014-02-12 【公开公告年份】2014 【授权公告号】CN103576462B 【授权公告日】2016-08-17 【授权公告年份】2016.0 【IPC分类号】G03F7/20; H01L21/683 【发明人】芮强; 张硕; 王根毅; 邓小社 【主权项内容】一种用于对背面湿法腐蚀后的晶片的正面进行光刻方法,其特征在于,包括步骤:提供背面湿法腐蚀后的晶片;在所述晶片的背面上贴膜;将所述晶片的背面相向地置于光刻机的载片台上固定;以及在所述晶圆的正面上完成正面光刻。 【当前权利人】无锡华润上华科技有限公司 【当前专利权人地址】江苏省无锡市国家高新技术产业开发区新洲路8号 【专利权人类型】有限责任公司(外商合资) 【统一社会信用代码】91320214714903842J 【引证次数】7.0 【自引次数】1.0 【他引次数】6.0 【家族引证次数】7.0

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