【摘要】 本发明提出了用于半导体晶圆制造过程中的氧化扩散工艺的挡片舟组件。其中，所述挡片舟组件包括挡片基座和至少一个挡片，所述挡片基座实质上是长方体的形状并且具有至少一个插槽，所述挡片是圆片的形式，其中，在使用时，将所述至少一个挡片插入到所述挡片基座的所述至少一个插槽中以形成挡片舟组件。本发明所公开的挡片舟组件具有高的使用寿命、不易变形，并且成本低。 【专利类型】发明申请 【申请人】无锡华润华晶微电子有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】214028 中国无锡市国家高新技术产业开发区信息产业科技园C座2楼 【申请人地区】中国 【申请人城市】无锡市 【申请人区县】滨湖区 【申请号】CN201210511521.4 【申请日】2012-12-04 【申请年份】2012 【公开公告号】CN103854977A 【公开公告日】2014-06-11 【公开公告年份】2014 【IPC分类号】H01L21/22 【发明人】潘之炜; 季勇; 崔严匀 【主权项内容】一种用于半导体晶圆制造过程中的氧化扩散工艺的挡片舟组件，所述挡片舟组件包括挡片基座和至少一个挡片，所述挡片基座实质上是长方体的形状并且具有至少一个插槽，所述挡片是圆片的形式，其中，在使用时，将所述至少一个挡片插入到所述挡片基座的所述至少一个插槽中以形成挡片舟组件。 【当前权利人】无锡华润华晶微电子有限公司 【当前专利权人地址】中国无锡市国家高新技术产业开发区信息产业科技园C座2楼 【专利权人类型】有限责任公司(港澳台投资、非独资) 【统一社会信用代码】913202147140943367 【引证次数】3.0 【被引证次数】4 【他引次数】3.0 【被自引次数】2.0 【被他引次数】2.0 【家族引证次数】3.0 【家族被引证次数】4

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